闪烁探测器中子相对光输出曲线标定技术

叙述了利用多道分析仪标定闪烁探测器光输出曲线的原理,用挡锥法消除了大厅散射中子和γ本底的影响,通过空靶(不含D和T)实验消除了靶头产生的γ的影响.实现了闪烁探测器中子光输出曲线的标定.     

薄膜型90Sr放射源制备工艺研究

目的为了获取与~(90)Sr同位素电池匹配的放射源,研发一种在指定非金属衬底材料上制作薄膜型~(90)Sr放射源的工艺。方法双环己烷-18-冠醚-6是一种既可配位锶离子,又具有良好抗辐照性能的分子,采用配位法将硝酸锶负载在该冠醚分子上,并溶解于高分子成膜剂中,在衬底材料上滴加后,自然晾干制备成含锶膜层。对制备结果进行了IR、TG、DSC、EDS、元素分析表征,考察了膜与衬底材料之间在经过116 k Gy剂量的γ辐照前后的结合力。结果该工艺实现了锶加载率大于93%,辐照后薄膜振荡掉粉率的增加小于1.3%。示踪实验表明,薄膜中表征锶分布不均匀性的相对标准偏差在7%左右。结论该工艺能够在衬底材料上获取~(90)Sr放射性薄膜,膜与衬底之间结合牢固,锶分布均匀性满足相关行业标准。     

分布式脉冲源的产额测量技术

为解决分布式脉冲源的产额绝对测量问题,实验根据脉冲源的分布和相互之间的权重,推出等效距离进行数据处理;蒙特卡罗程序研究不同分布脉冲源的出射粒子在晶体中的沉积能量和穿过晶体面的积分流量,确定它们相互之间的比例关系;实验结果与计算数据进行比较,两者近似一致,验证了实验方法的可靠性.     

ST401闪烁体形状与光反射膜对其光收集效率的影响

采用Geant4软件包和同位素放射源,通过蒙卡模拟和实验,对包裹光反射膜的ST401塑料闪烁探测器光收集效率进行了研究,比较了光反射膜对柱体和锥体两种形状闪烁体的影响.结果表明,对于柱形闪烁体,铝箔光反射膜可使光收集效率提高2.72和1.99倍；对于锥形闪烁体,分别提高4.57和2.45倍.外包光反射膜对于锥体形状的闪...     

几种闪烁探测器的中子能量响应函数测量

采用直流刻度方法．实验研究了ST401、ST1422或ST1423塑料闪烁体加光电倍增管组成的探测器的裂变中子灵敏度,获得了中子灵敏度随中子能量的变化关系。实验结果与计算进行了比较．在不确定度范围内符合很好。     

紧凑型磁质子反冲谱仪磁分析系统的能量刻度

介绍了一种用于多种特定环境下脉冲氘氚聚变中子能谱测量的紧凑型磁质子反冲谱仪的磁分析系统。通过三维粒子输运和蒙特卡罗模拟对磁分析系统性能进行了分析,使用CR-39径迹探测器和多个能量α单能粒子对系统进行了能量刻度。结果表明,磁分析系统具有良好的能量离散与聚焦性能,对给定能量范围的反冲质子,能够以1.5%~2.1%的能量分辨率实现（0.5~1.4）×10^－4的探测效率。     

组合PIN探测器对γ、中子脉冲辐射补偿效果研究

提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果均达97％以上。     

快时间响应积分型ST-PMT探测器的参数调试

设计制作了一个电流型快法中子探测器,探测器的线性电流、增益和时间特性可以满足对中子产额为2×104个,脉冲,总作用时间为200ns的脉冲中子源的中子产额测量的需求.     

降低闪烁探测系统中子灵敏度的方法初探

针对脉冲辐射场高强度裂变中子测量的特点,设计了降低灵敏度的狭缝闪烁探测系统,初步研究了系统的2.5MeV中子灵敏度。实验结果表明：由狭缝屏蔽准直器和闪烁探测器组成的新型狭缝闪烁探测系统,可使传统的直照探测模式的下限灵敏度降低一个量级,拓宽了闪烁探测器在脉冲辐射场中子测量中的应用。     

裂变瞬发γ总数测量技术

针对裂变 γ辐射能谱的特点 ,采用散射测量技术并选择散射角度 ( 70°) ,将裂变 γ连续谱压缩 ,利用 PIN型探测器对压缩后能段能谱响应平坦的特点 ,实现 γ辐射绝对测量。