强脉冲辐射场非平衡硬X辐射测量技术

本文介绍了强脉冲辐射场非平衡硬Ｘ辐射谱测量方法。文中对测量原理、关键定标技术进行了叙述。     

抑制BaF2晶体闪烁光慢成分的选择吸收膜系的研究

根据BaF2晶体闪烁光快、慢成分波段的不同，设计并制备了用于抑制该晶体闪烁光慢成分的Al2O3／MgF2／Al／MgF2…金属-介质选择吸收膜系．透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱的实验结果显示，所研制的选择吸收膜系达到了预期的要求，BaF2晶体闪烁光快、慢成分比提高了80倍以上，有效地提高了：BaF2闪烁晶体在高计数率测量中的应用价值．     

软X射线功率谱仪测量系统在"强光一号"的丝阵实验

闪烁体和光电管组成的软X射线功率谱测量系统,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上,测量得到了各种丝阵靶的X射线辐射功率波形,并对测量结果进行了分析.     

用于离子能谱测量的Thomson谱仪设计与数据处理技术

在设计可用于测量质子、n粒子以及其他重带电离子能谱的Thomson谱仪的过程中,研究了带电离子在谱仪电场和磁场作用下的运动轨迹,开发了相应的计算机辅助设计软件。CR39固体径迹探测器作为离子记录介质,离子径迹在记录面呈现抛物线带状分布,研究了由抛物线带状分布回推离子能谱的数据处理方法。     

小灵敏面积PIN半导体探测器性能改进

本文对原ＰＩＮ半导体探测器信号引出线结构线路进行了分析，为了消除小灵敏面积ＰＩＮ探测器振荡现象，把原信号引出线结构改进成微带结构，并对改进后的探测器时间响应性能和线性电流进行了实验测量。     

阵列BF3计数器制作与性能研究

设计和实验研制了用于脉冲中子源中子产额绝对测量的阵列BF3 计数器,并在加速器上进行了DT中子灵敏度标定实验。给出了该计数器测量DT脉冲中子产额的测量结果和测量不确定度,并与其它测量方法的测量结果进行了比较。实验验证了BF3 设计的可行性和DT脉冲中子产额测量数据的可靠性。     

电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响

通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用.数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和灵敏度计算结果;实验研究利用60Co源发射的能量为1.17和1.33MeV的γ射线对不同补偿条件下的γ灵敏度进行标定.结果表明,电子逃逸效应对灵敏度存在显著影响,在探测器前设置铝、聚乙烯等补偿材料可对电子逃逸效应进行适当补偿.     

Z-箍缩X射线辐射功率闪烁探测系统

研制的Z-箍缩X射线辐射功率探测系统，利用闪烁体与X射线作用产生的荧光，在X射线入射45°方向进行探测。系统具有平坦能量响应、大动态范围和抗干扰能力强的特点。在Z-箍缩“强光1号”装置上，对X射线辐射功率进行测量，获得了W丝阵负载最大X射线辐射产额为36-58kJ，辐射功率为0-84TW。     

用测量γ射线诊断裂变能量技术

介绍了一种通过测量γ射线绝对数诊断核裂变能量测量技术,主要涉及一般概念、诊断方法和测量技术,重点介绍中子、γ射线混合辐射场中的中子屏蔽技术、低能γ射线甄别和提高测试信/噪比技术。     

分幅相机系统在丝阵Z-pinch实验中的应用

将皮秒分幅相机系统用于丝阵Z-pinch实验诊断中,获得了较好的实验结果,并对实验数据进行了初步的分析,利用皮秒分幅相机测得等离子体内爆速度达2×107 cm/s,还测得了丝阵内爆的轴向不同时性及双区辐射现象.