快中子64Zn(n,α)61Ni反应微分截面实验测量

由于64Zn(n,α)61Ni反应的剩余核是稳定的,不能用通常的活化法来测量,致使该反应截面实验数据缺乏.利用双屏栅电离室作为带电粒子探测器,在En=2.54,4.00,5.03,5.50与5.95MeV 5个能点,对64Zn(n,α)61Ni反应的微分截面进行了实验测量,并通过微分截面对角度的积分得到了反应截面.实验在北京大学4.5MV静电加速器上进行.2.54MeV的单能中子采用固体氚-钛靶T(p,n)3He反应产生,其余四种能量的准单能中子通过氘气体靶D(d,n)3He反应获得.绝对中子通量采用238U(n,f)反应来确定,实验过程中用BF3长中子计数器进行相对中子通量监测.测量结果与已有的实验与评价数据进行了比较.     

用数据采集卡测量屏栅电离室非屏蔽因子

利用数据采集卡获取屏栅电离室内238U自发裂变产生的阴极与阳极信号波形,通过分析阳极信号,得到了电子在各极板之间运动的特征时间,进而求得了屏栅电离室的非屏蔽因子.采用不同的栅极结构并改变阳极到栅极的距离,在4种情况下对丝状栅极屏栅电离室的非屏蔽因子进行了实验测量,并且进行了理论计算.实验结果与理论值在较好的程度上保持一致.     

薄膜样品中10B原子核数的实验测量

采用北京大学4.5 MV静电加速器D(d,n)反应产生快中子,通过厚石蜡对中子进行慢化.以6LiF薄膜为标准样品(其中6Li原子核数目已知),使用背对背双屏栅电离室作为带电粒子探测器,同时探测热中子与6Li以及热中子与10B反应产生的t和α粒子.采用相对测量法,得到了待测薄膜样品中10B的原子核数.