金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

用正电子湮灭研究SmCo_5永磁体室温至740℃的组织变化

SmCo_5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度范围内等时(2小时)退火处理的SmCo_5合金的正电子湮灭研究。结果发现,材料中明显地存在着沉淀相的析出。作者认为,至少不能排除这一过程作为影响磁性的重要原因。 正电子平均湮灭率λ_(ap)能反映材料的基体性质。它的倒数称为材料的基体正电子寿命τb,     

纯铁中的氢致微观缺陷和氢-缺陷系统的正电子寿命

几十年来,人们对金属的氢致损伤问题的研究主要集中于金属的宏观力学性能和半微观性能。本文用正电子湮没技术研究氢对金属中小到原子尺度的微观结构的影响。 选用纯度99.99％的铁样品八对,经840℃、1.5小时真空退火后电解充氢,充氢电流密度分别为0、2、4、8、16、32、64、256(mA/cm~2),放置19小时后在室温下测量各样品的正电子寿命谱,实验结果用Positronfit程序进行三寿命分量的自由拟合,结果发现,所有充氢样品的平均正电子寿命τ_M和第二寿命成份的相对强度I_2都大于未充氢样品,并且随着充氢电流密度的增大而增大,说明铁中的氢可以引起微观缺陷浓度的显著增大。根据第二寿命成份的寿命值I_2(230～270ps),可以推知新增加的缺陷主要是各种空位,位错和微孔洞。     

液晶中的正电子寿命与相变

正电子在分子材料中的湮灭寿命通常与多种因素有关,例如密度及分子排列结构等。若试图用正电子湮灭方法来研究分子材料中的结构效应,我们希望寻求这样一种材料,它在不宽的温度范围内有尽可能多的相变。液晶就是这样一种理想材料,因为它在一般的温度范围内常常具有多种中介相(Mesophases),特别是伴随着相变的发生,正电子的寿命参数常会产生显著的变化,因此,正电子湮灭方法可以灵敏地探测液晶中的相变。     

应用背散射技术研究固体薄膜

应用背散射(R.B.S)方法测量了单层金属膜(Fe膜、Au膜)、双层金属膜(Ti-Fe膜)、双层介质膜(Si-Si○_2-Si_3N_4 膜)的厚度。在对Si-Si○_2-Si_3N_4双层介质膜测厚的同时,还测出Si_3N_4膜中含有一定量氧的存在,检验了它的生长质量。用背散射方法对错(Zr)的氧化进行了初步研究,测定了在1964年于400 ℃干燥空气中分别氧化7＇、14＇、28＇、80＇的ZrO_2膜的厚度。实验结果大体上与锆氧化的抛物线规律     

非晶态低温低频下的跳跃电导

N.F.Mott曾用Kubo-Greenwood公式处理非晶态跳跃电导问题,在T=OK,交变场??m,cosωt的条件下,证明了σ(ω)?ω~2关系,对于这个结果Mott自己在1971年的文章中说,至今没有实验验证,要得到更严格的结果,需要考虑其它势阱的影响.在"非晶态交流电导的低频响应"一文中,我们说明了内部具有复杂相互作用的非品态里存在着大量的低能相关态,定域态电子跳跃跃迁会造成一个突然的势改变,引起     

掺杂锆钛酸铅与钛酸铅系压电陶瓷的正电子湮没研究

测量了不同掺杂改性的 PbZrO_3-PbTiO_3和 PbTiO_3系压电陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子捕获理论对实验所得寿命谱参数与陶瓷微观结构缺陷的关系作了讨论。结果表明,长寿命成分τ_2(约300ps)相当于PZT或PT陶瓷中Pb空位缺陷对正电子的捕获。由缺陷对正电子的捕获率x随 PT中掺La~(3+)量增加而增大的现象,证实了La~(3+)占据ABO_3钙钛矿结构中的A位并产生Pb空位,而正电子可作为探测这种Pb空位浓度的一种手段。由PZT中x值与掺Bi~(3+)量的关系来推断,当 Bi~(3+)离子在较少掺杂量下主要进入A位,而在较大掺杂量下开始占据B 位产生氧空位。实验表明,正电子湮没技术是一种研究掺杂改性陶瓷微观结构缺陷变化的有力手段。     

用正电子寿命方法研究Fe-Ni-Co合金中氢损伤

铁镍铬合金(型号4J29)是能和玻璃封接的定膨胀合金,主要用于晶体管、集成电路外引 线等。由于存在延迟断裂问题,影响了元件的可靠性。本文用正电子湮没方法对4J29合金中氢损伤行为进行了探讨。     

非晶态交流电导的低频响应

从实验和理论上研究非晶态交流电导率一直是很活跃的课题,60年代以来,一些作者在比较低的温度下测量了象掺杂半导体,硫属玻璃等大量的非晶态材料的交流电导率,发现在10~2<ω≤10~(10)Hz频率范围内都表现出一种普遍行为:0.5相似文献   

四面体配位非晶态半导体电子态密度谱计算的一种模型

七十年代以来,非晶态材料与无序固体系统的研究成为固体物理领域中最活跃的前沿之一,特别是对于非晶态四面体配位半导体的研究进展很快.通过实验,可以测量出各种非晶态四面体配位半导体的DOS谱,其结果说明了晶态与非晶态电子态密度之间存在着较大差别.