27keV Ar~+斜入射时的Cu-Au合金溅射实验角分布

用27keV Ar~+分别在垂直和倾斜入射情况下,轰击了Cu-Au(30wt％)合金样品,测量了Cu和Au原子的溅射角分布。角分布是用卢瑟福背散射(RBS)技术分析Al捕获膜上的Cu-Au沉积成分而定量得到的。结果表明:(1)在Ar~+倾斜(θ=40°)入射时,Cu原子择优发射,且程度比垂直入射(θ_r=O°)时增强:(2)倾斜入射时,Cu原子的角分布显示出在接近于样品表面法线方向的发射角范围内(θ<45°),发射机率比垂直入射时减小。     

27keV Ar~+离子溅射Cu和CuAu靶时Cu的同位素分馏研究

本文报道了27keV Ar~+离子分别轰击Cu元素靶和CuAu合金靶时溅射Cu原子的同位素(~(63)Cu和~(65)Cu)分馏测量结果,发现:(1)对Cu元素靶,同位素分馏δ_f(~(63)Cu,~(65)Cu)=(62±27)‰,而对Cu-Au合金靶,δ_f=(5.9±1.6)‰;(2)δ_f(~(63)Cu,~(65)Cu)随发射角θ的变化对两者靶而言趋势是相似的,但在CuAu合金靶情况下,当θ≤40°时,δ_f((63)Cu,~(65)Cu)为负值。     

AlxSn100—x合金系统的Ar^＋溅射研究

用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）浅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好。     

Cu－37at％ Ag共晶合金的离子溅射研究

侧重研究了入射Ａｒ＋离子不同剂量轰击时表面微形貌和溅射原子角分布之间的关联，并建议用“元素按靶点表面微形貌特征局域富集模型”来解释溅射原子角分布形状以及择优溅射曲线的变化；发现其结果与实验相符合。     

恐龙蛋壳化石中C60的研究

＠王震遐，李学鹏，王玫珉，许浔江，唐紫超，黄荣彬，郑兰苏￥中国科学院上海原子核研究所，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室Ｃ＿（６０），恐龙蛋壳化石，ＴＯＦ质谱，ＨＰＬＣ恐龙蛋壳化石中Ｃ＿（６０）的研究王震遐，李学鹏，王玫珉，许浔江（中国科学院上海原子核...     

20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射

荷能离子对单元素的溅射已有较好的理论解释,但是对多元合金或化合物溅射的研究才开始不久,目前尚无一个能够成功地解释实验现象的理论。 溅射后合金样品近表面组成的改变,是一种有趣的实验现象。实验中发现三元合金的现象比二元合金更为复杂,例如,元素的近表面改变与溅射离子的能量有关,这是用现有的择优溅射理论无法解释的。为研究这种现象,我们选取了Si(Co,Ta)三元合金,在分别用20到     

CuAu合金溅射原子角分布的实验研究

荷能离子轰击固体复合材料表面时某种成分的择优发射现象,是人们很感兴趣的研究课题。这是因为,择优发射机制至今尚不清楚。同时,很多现代表面分析设备,诸如俄歇电子     

PREFERENTIAL SPUTTERING OF Cu76Ni15Sn9

ＰＲＥＦＥＲＥＮＴＩＡＬ　ＳＰＵＴＴＥＲＩＮＧ　ＯＦＣｕ_（７６）Ｎｉ_（１５）Ｓｎ_９ＷａｎｇＺｈｅｎｘｉａｌ（王震遐）；ＰａｎＪｉｓｈｅｎｇ（潘冀生）；ＺｈａｎｇＪｉｐｉｎｇ（章骥平）（ＣＣＡＳＴ（ＷｏｒｌｄＬａｂｏｒａｔｏｒｙ），Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ８?..     

近180°RBS产额的增强效应

1979年,P.P.Pronko等人在美国橡树岭国家实验室(ORNL)发现:在散射角θ(?)179.6°～179.9°范围内观察到MeV级He~ 对非晶态和多晶态固体靶反常的背散射能谱。所测的能谱与θ=179.45°的背散射能谱比较,如图所示。在样品表面下的浅层(约为数百)内,出现一个出乎意料之