电流型半导体探测器收集特性的测定

利用2.5MeV质子静电加速器调制成微秒宽度的单次脉冲束流,照射国产离子注入PIN及Au-Si面垒型探测器表面后,观察从示波器屏幕上同时拍摄的探测器输出波形和束流波形并加以比较,由此观察耗尽区内部电荷积累对平顶畸变、收集时间大小的影响及收集效率等参数。