磁心存储器的晶体管线路

一、引言由于晶体管的可靠性高,而且功率损耗小,所以它很适用于计算机线路中。计算机的大部份线路都已经用晶体管替换了真空管。但是直到最近,市面上还没有一种晶体管,能用来产生驱动矩形回线的矩阵磁心存贮器的脉冲电流,而且仍能工作在制造厂给出的最大极限值之内。     

采用隧道二极管鑑别器的高速磁存貯讀出放大器(上)

由于許多要求相互矛盾,在大容量高速存貯器中,讀出放大器的設計可能是最困难的线路問题。对讀出放大器的这些要求包括:对信息分布不敏感、輸入阻抗可控制、寬的通频带、增益稳定、共式信号抑制強、可放大双向信号、参考电平稳定、高速比較器、低門檻电平,而且还希望价格低些。本文討論一种新线路,它簡单、且能滿足这些要求。打算将这种线路用于大容量(大于1000字)随机磁心和磁膜存貯器中。栈路能放大50毫伏的“1”信号,它具有50毫微秒的傳輸和比較延时。共式信号大至10伏,还不影响鑑别器的性能。线路的两个关鍵性的特点是:采用直接耦合差动前置放大器和隧道二极管鑑別器。直接耦合差动前置放大器的特点是:共式信号抑制强、增益稳定、对信息分布不敏感、并且能夠放大双向信号。隧道二极管构成一个优质鑑别器,因为它工作速度快、門槛电平低、門檻电平可以控制且不随溫度变化。于是,对前置放大器增益的大小和稳定性的要求就不严格了。文中推导了設計公式,并对完整的直流最坏情况进行了分析。叙述了某些应用时的线路变化,并給出了实驗数据。在附录Ⅱ中,討論了与前置放大器結合使用的隧道二极管鑑别器的一般問题。分析了某种輸入“1”“0”比时放大器跨导的允許容差,并且分析了偏流扣隧道二极管峯值电流的容差。     

晶体管电荷控制参数的研究

本文研究了晶体管电荷控制概念的现状,同时确定了设计线路中有那些最重要的性能参数;并对参数的测量方法加以概述。这些参数是:收集极时间常数τ_c,饱和时间常数τ_s,“立刻需要的”、电流放大系数β_s,收集极电容的电荷 Q_v 和直流电流放大系数β。文中采取了一种方法来进行分析,其分析指出:参数随直流电流之变而变。文中还尽可能详细地分析了均匀基层晶体管,同时对基层杂质有斜度的晶体管也定性地加以研究。     

晶体管电流开关线路

本文对高速电流开关线路作了分析,给出直流设计准则及实验结果。提出了一些改进的线路。这些改进线路大大地降低了对元件和电源电压的严格容差要求,此外还减少了元件数量和电源电压种类。对单一型晶体管和互补型晶体管电流开关线路进行了直流分析。讨论了各种类型线路的设计公式和驱动倍数。详细地研究了电流开关线路的瞬态过程。结果指出:限制每级最小延迟的因素是射基电容以及输入上升时间,晶体管的固有频率响应。对于由电流开关作成的半加器线路和发生器线路作了介绍。     

64K MOS动态随机存储器

MOS随机存储器(RAM)通常用来做数据处理系统的主存储器。人们不断地改进它,增加存储器的位密度,缩短读出时间以及降低功耗。目前16K MOS RAM已有商品。由于尺寸和功耗方面的限制,制造64K MOS随机存储器(RAM)还存在一些困难。本文提出了一     

MOS大规模集成电路的可靠性

MOS大规模集成电路(MOS LSI)与分离半导体器件和中规模组件电路一样共同都有很多可靠性问题。但是,由于MOS LSI 电路增加了复杂程度,有较大的芯片尺寸和较高的集成度,需要采取不同的途径来解决。需要在设计者、生产者和使用者(即可靠性的三方面关系)之间有一种密切的工作关系来获得生产上的控制、测试方法和评定可靠性的步骤,同时使MOS LSI 电路的性能和可靠性都最佳化,采用这个办法后,一个每根外接端平均有很多功能的MOS LSI 电路,就能做出一个更可靠的系统(这是与一个同样复杂程度但基于分离器件或较少复杂程度的集成电路相比较而言)。本文对可靠性的一些特殊领域(如图案灵敏性、生产控制、装配、封装和电性能测试等均进行了讨论。     

高速不破坏读出存贮器的读出线路

1.引言在选择大容量高速存贮器的记忆元件、驱动钱路和读出线路的时候,需要在技术和经济两方面取得平衡。作者认为,简化读出线路会明显地影响这种平衡。本文将介绍关于这种线路速度、灵敏度、尺寸等的极限的研究工作情况。通常,读出线路包括一个放大器、一个门和一个触发器。如果在读出被选记忆单元的过程中要破坏所存信息,则在被选单元回到它的原始状态时,读出线路也必须起暂时记忆的作     

4K MOS动态随机存储器

本文提出了一种4K 动态MOS 随机存储器(RAM)的方案,该方案采用每位三管的单元,其面积小于2密耳~2/位,采用n 沟道硅栅MOS 工艺。芯片只需要一个时钟脉冲,并且内部产生所需的多相时钟脉冲。所有的输入和输出与高电平的时钟脉冲不同,其电平与TTL 相配。     

高频射极跟随器的分析和设计

本文讨论高频射极跟随器的性能。假设电流增益为线性,且形式为β(s)=β_0/(1+sτ),文中导出了射极跟随器推动电阻和电容负载的等效线路。而集-基极电容的影响等效于负载的某种变型。对于射极跟随器内部的反馈作用提出了一种解释,这种解释对于理解某些情况下线路不稳定的原因是有帮助的。分析了具有驱动电感和负载电容的特定情况,而且推导出了简单的稳定性表示式,该式在高频时很有用。文中还讨论了基极串入 RC 网络的补偿技术,并且提出这种补偿技术的设计曲线。     

采用隧道二极管鉴别器的高速磁存储读出放大器(下)

四、差动放大器的分析进行分析的方法和 Okada~(3)[6]的方法一样。图12示出所分析的线路。图13为等效线路图。这里的 R_(b1)和 R_(b2)包括晶体管基极的体电阻以及输入电压源 E_(1i)和 E_(2i)的内阻。 R_(b1)和 R_(b2)包括,基一射二极管工作点上斜率相应的电阻和平衡电位器的相应部分