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硅外延片中的杂质控制 总被引:2,自引:0,他引:2
有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害,防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。 相似文献
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火炮初速测量是火炮进行弹道准备中的一项重要内容,运用灰色理论探讨火炮初速预测问题,既有利于提高火炮射击精度的修正,又有利于进一步完善火炮初速测量雷达的使用操作和改进设计。针对火炮初速随机变化的特点,基于灰色理论中的GM(1,1)模型,构建火炮初速灰预测模型,确定预测结果精度检验方法。最后通过一应用实例验证该方法具有一定的合理性与实用性。 相似文献
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摘要:采用水溶液共聚法,以甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯为疏水单体,以K2S20。一NaHs03氧化还原体系为引发剂,制备了疏水改性型聚丙烯酰胺,探讨了改性单体用量对改性聚丙烯酰胺的分子量、不溶物含量、溶解速率等性能的影响规律,并对其在两种难沉降尾矿中的絮凝效果进行了评价.研究结果表明:疏水改性聚丙烯酰胺对不同类型的难沉降尾矿浆表现出不同的絮凝效果. 相似文献
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