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以三水合乙酸铅、四正丁氧基锆和钛酸四丁酯为原料,并以乙酰丙酮为熬合剂,乙二醇甲醚为溶剂制备PZT溶胶;在Si-Pt基板上采用溶胶-凝胶法制备热释电薄膜.采用KW-4A型匀胶机,甩胶速度为4 500r/m,甩胶30s,在马弗炉中烧结温度为400℃,退火温度分别为600℃,650℃,700℃.使用AFM观察表面形貌,在拉曼光谱仪下观测拉曼峰.试验结果表明:在600℃,650℃,700℃退火时均形成拉曼峰,650℃退火时局部区域内薄膜材料的表面光滑而致密,700℃形成了三方、四方共存的钙钛矿相结构. 相似文献
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企业的产品质量要依赖产品测试系统来验证,而产品测试系统正常、稳定的运行,则需要通过建立健全的测试维护系统来实现。介绍了企业测试维护系统的组成,并提出了建立该系统需要考虑的重要问题。 相似文献
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根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。 相似文献
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介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。 相似文献
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热释电材料铌酸锂(LN)晶片可作为热释电探测器敏感层材料。介电常数和介电损耗是判断热释电材料性能的2个重要参数。为解决在测试参数时,测试数据量大,测试精度要求高、测试时间较长等问题,提出了一种自动采集、自动记录及处理的测试系统,并测试出减薄前后LN晶片的介电常数和介电损耗随温度的变化曲线。经过数据分析得出,LN晶片的相对介电常数随着温度的升高呈增大趋势,减薄前后其相对介电常数变化不是很大,减薄后略减小;而LN晶片的介电损耗随着温度的升高呈增大趋势,160℃以下增长缓慢,但在160℃以上迅速增大;LN晶片的介电常数和介电损耗随温度的变化情况基本符合低温条件下德拜模型偶极子弛豫。 相似文献
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A novel algorithmic method, based on the different stress distribution on the surface of thin film in an SOI microstructure, is put forward to calculate the value of the silicon piezoresistance on the sensitive film. In the proposed method, we take the Ritz method as an initial theoretical model to calculate the rate of piezoresistance ΔR/R through an integral (the closed area Ω where the surface piezoresistance of the film lies as the integral area and the product of stress σ and piezoresistive coefficient π as the integral object) and compare the theoretical values with the experimental results. Compared with the traditional method, this novel calculation method is more accurate when applied to calculating the value of the silicon piezoresistance on the sensitive film of an SOI pieoresistive pressure sensor. 相似文献