TiO_2氧传感器的研究与进展

TiO2 氧传感器具有体积小、结构简单、使用方便、价格低廉和性能好等优点,在环境监测、锅炉节能等方面有着广泛的应用。详细论述了TiO2 氧敏特性,TiO2 氧敏元件的制备方法,提出了存在的问题及相应的改进措施,并对今后的发展前景作了展望。     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。     

基于安卓系统的模拟智能机顶盒的设计与实现

为了解决数字广播电视收费的设定,给一些酒店、旅馆等多房间大型场所带来的成本提升问题,设计并实现了智能模拟机顶盒,该机顶盒硬件层次上对HI3716C平台进行了扩展,软件层次上用安卓自带组件播放模拟信号,实现了NDK环境搭建以及上层应用(JAVA)与底层(C语言)的无缝衔接.实验结果表明,该产品效果良好,具有广阔的应用前景及商业价值,可广泛地应用在各种多房间大型场所.     

受电弓静力学研究

受电弓静力学分析是受电弓研究的重要方面,文章以某型号受电弓为研究目标,利用几何解析的方法对其进行了机构运动学关系和静力学的分析,计算了该型号受电弓的弓头运动轨迹,升弓转矩,并得到了他们之间的关系。     

18-冠醚-6对金属Co在化学机械抛光液中腐蚀的影响

在含双氧水(H2O2)10 m L/L和氨三乙酸(NTA)20 mmol/L的溶液(p H=9)中分别加入0.5、1.0、1.5和2.0 mg/L的18-冠醚-6,研究了在弱碱性条件下18-冠醚-6对金属钴(Co)电化学腐蚀的影响。结果表明：随着18-冠醚-6质量浓度的增加,钴与氮化钛(Ti N)的腐蚀电位差先降低后升高,当18-冠醚-6为1.0 mg/L时最低,而钴的腐蚀电流密度越来越小。通过扫描电镜(SEM)形貌表征和X射线光电子能谱(XPS)分析可以证实,18-冠醚-6的加入使钴表面的电化学腐蚀得到了有效抑制,显著改善了Co在化学机械抛光(CMP)后的表面状态。     

纳米TiO2光触媒薄膜的制备及改性研究进展

根据近年来光催化技术的研究成果,从3个方面综述了纳米TiO2薄膜光触媒薄膜的研究进展:制备工艺、影响TiO2薄膜光催化活性的因素和改善其光催化效率的方法.最后,对目前TiO2光触媒研究中存在的主要问题和发展前景进行了简要评述和展望.     

建筑工程地下室防渗漏施工技术的应用分析

建筑工程地下室施工质量关系着工程结构的整体稳定性，防渗漏技术应用至关重要,因为地下室环境潮湿，可能导致钢筋受到腐蚀，影响建筑结构安全及使用寿命。分析认为，大多数情况下地下室的渗漏问题主要是施工过程技术管理不到位引发的。对于不同的渗漏问题，需要精准施策，施工人员要高度关注防渗漏技术的合理应用，才能有效预防施工质量问题，控制渗漏对建筑质量和安全的影响。     

Al掺杂ZnO厚膜的sol-gel法制备及其气敏性能研究

以硝酸锌、硝酸铝和氢氧化钠为原料,采用sol-gel法制备铝掺杂的纳米氧化锌厚膜(样品),并利用XRD和SEM对其微观结构进行了表征。研究了铝掺杂量和退火温度对ZnO厚膜的气敏性能的影响。结果表明:700℃退火、掺w(Al)为2.9%的样品对体积分数为4.0×10–1的丙酮有很好的选择性,最大灵敏度达到7 779左右,最佳工作温度约为162℃,响应、恢复时间均为1 s,最后讨论了铝掺杂纳米氧化锌的气敏机理。     

螯合剂与氧化剂协同降低CMP中Co/Cu电偶腐蚀

钴(Co)作为10 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在阻挡层化学机械抛光(CMP)中易与铜(Cu)发生电偶腐蚀。本文采用电化学、CMP、静态腐蚀实验以及扫描电镜(SEM)表征方法,研究了弱碱性抛光液中螯合剂和氧化剂在Co/Cu电偶腐蚀中的协同作用。研究表明:抛光液中的氧化作用,使得Co和Cu表面生成一层由氧化物及氢氧化物组成的钝化膜,抑制了Co和Cu的静态腐蚀;多羟多胺螯合剂浓度增加,抛光液pH升高,Co和Cu表面钝化膜的生成加快;CMP过程中,Co和Cu腐蚀电位均有明显降低,去除速率均加快。抛光液组分为1.5 ml·L-1H2O2、0.1%FA/O螯合剂、30%AEO-9、5%硅溶胶(质量分数)时,Co的腐蚀电位低于Cu的腐蚀电位;研磨状态下,Co/Cu腐蚀电位差降到-6 m V,电偶腐蚀电流很小,极大地减弱Co/Cu电偶腐蚀。同时,Co的去除速率为130 nm·min-1,Cu的去除速率为76.5 nm·min-1,Co与Cu的静态腐蚀均不明显,可以很好地满足阻挡层CMP要求。     

钴化学机械抛光的研究进展

当技术节点降低至32 nm及以下时,为了缓解电阻-电容(RC)延迟导致的铜(Cu)互连器件可靠性差的问题,急需寻找新的阻挡层材料.与钽(Ta)相比,钴(Co)具有更低的电阻率、更小的硬度、与Cu更好的粘附性、在高纵横比沟槽中能实现保形沉积等优点.因此,Co成为取代Ta的有前途的衬里材料而被堆叠在氮化钽(TaN)阻挡层上.Co的引入可以降低阻挡层厚度和简化工艺过程.然而,当技术节点降低至10 nm及以下时,金属线宽度接近甚至小于Cu的电子平均自由程.由于侧壁和晶界处电子散射的增加,Cu的电阻率开始急剧增加.与Cu相比,Co的电子平均自由程更低且可以在阻挡层更薄的情况下工作.因此,Co成为替代中段制程(MOL)中接触金属W和后段制程(BEOL)中互连金属Cu的绝佳候选材料.Co的引入势必需要与化学机械抛光(CMP)以及CMP后清洗等相兼容的工艺.然而,与多层Cu互连Co基阻挡层CMP以及Co互连CMP相兼容的抛光液作为商业机密一直未被公开.同时,学术界对Co的CMP也缺乏系统而全面的研究.本文就Co作为Cu互连阻挡层和互连金属的有效性及可行性进行了系统论述,重点综述了Co基阻挡层和Co互连CMP的研究现状,讨论了不同化学添加剂对材料去除速率、腐蚀防护、电偶腐蚀和去除速率选择性的影响.同时,本文对Co CMP所面临的问题与挑战进行了总结,以期为Co基阻挡层以及Co互连CMP浆料的开发提供有价值的参考.