装载机压力测试数据采集系统

基于计算机的数据采集器WaveBook系列是一种模块组合式的数据采集系统产品,可根据不同的测试需求选配不同的信号调理模块,与计算机及测试分析软件DasyLab组合成一套高性能的数据采集分析系统。1压力测试系统组成的功能特点1·1压力测试系统主要组成选用的压力传感器为BPR40型电阻应变式压力传感器,系统主要包括WaveBook516E数据采集器主机、应变信号调理模块WBK16SSH、笔记本计算机、选用数据采集分析软件DasyLab。动态压力测试系统组成框图如图1所示。图1动态压力测试系统框图1·2硬件组成及主要模块功能特点(1)IBM计算机,软件Das…     

半挂牵引车车架的疲劳分析及结构优化

为准确复现某半挂牵引车车架铸造横梁试验场失效模式并提升结构可靠性,对典型工况静强度进行了分析;通过对比仿真结果与应力试验,验证了有限元模型准确性并发现了结构薄弱点,对结构进行了优化设计;建立了刚柔耦合的整车虚拟样机模型及试验场扭曲路面,提取了车架连接处载荷,结合惯性释放的方法完成了两种方案车架疲劳寿命计算,并进行了两种方案扭转疲劳台架试验。结果表明：改进方案在典型工况静强度、基于扭曲路面的虚拟疲劳寿命及基于台架试验的扭转疲劳寿命等方面均有较大提升,验证了改进方案的有效性。     

承载T形接头疲劳试验对结构应力法的修正研究

为了更为精确地预测焊接结构的疲劳寿命,基于承载T形焊接接头的疲劳试验,建立有限元分析模型,50%存活率下,分别采用Verity法的位移控制模型、载荷控制模型、VOLVO法等结构应力法对T形焊接接头疲劳寿命进行寿命预测,结果表明,Verity法的载荷控制模型计算结果偏安全,VOLVO法计算结果偏危险,Verity法的位移控制模型计算结果与实际最为接近。而后,基于试验数据,修正了VOLVO法的柔性S-N曲线,采用该修正模型的计算结果可以较为精确地反映工程实际。     

特征模态函数双谱分析在叶片裂纹识别中的应用

针对叶片裂纹故障振动信号特征,提出特征模态函数的双谱分析法,首先利用经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)对振动信号进行自适应滤波分解,产生一系列不同时间尺度的特征模态函数(Intrinsic Mode Function,IMF),然后对含有高频信号的高阶IMF分量进行重构,利用双谱提取叶片裂纹的振动信号特征。通过仿真信号和实验分析,验证叶片裂纹产生的高频冲击对叶片振动信号高频部分双谱的影响,证明IMF分量双谱分析的有效性,为风电叶片正常状态监测提供依据。     

压路机频率响应及减振分析

针对压路机在实际工作过程中,由于路面激励、振动钢轮激励与发动机振动激励,车体出现较大振动,影响驾驶员舒适度甚至影响整车安全性能的问题,建立有限元模型,依据实测的固有频率对模型进行校核,并对其进行振动仿真运算,依据优化分析理论,寻找适当的减振器刚度以优化减振方案,为下一步的试验提供依据.     

主磁极气隙影响电动机电流分配的故障处理与电路改进

许多大型机械设备采用多台同型号电动机并联驱动，由于共用电源，经常出现某台电动机电流过大或过小，即出现电流分配不均的现象。这样既影响整套设备的正常使用，也易造成单个电动机的烧损或影响电动机发挥正常功率。通过对应用中架车机出现此类故障的分析，提出了故障原因及处理方法，并通过控制电路的改进，提出了发生此类故障时对整套设备进行保护的措施。     

DF4B型内燃机车预热系统的故障分析及改进措施

通过DF4B内燃机车预热系统的故障分析及处理 ,指出了结构设计的不足及重点部件的保养方法 ,并通过应用中的实际进行了结构上的改进 ,取得了较好的效果。     

晶界工程处理对Inconel 690TT合金微动磨损行为的影响EI北大核心CSCD

采用热处理加冷轧的晶界工程处理,利用OM,SEM,EBSD和白光干涉仪等研究Inconel 690TT合金在室温与320℃空气中的微动磨损行为。结果表明:经5%冷轧变形及高温短时间退火处理后Inconel 690TT合金的显微组织中低∑重位点阵(CSL)晶界比例达到70%以上;Inconel 690TT合金试样在室温和320℃下的微动磨损体积与摩擦因数均随硬度增加而降低,随晶粒尺寸和低∑CSL晶界比例增加而增大;在相同微动实验参数下,晶粒尺寸越大、低∑CSL晶界比例越高试样的微动运动区域特性倾向于完全滑移,反之倾向于部分滑移;与晶粒尺寸相比,低∑CSL晶界比例对晶界工程处理试样的微动磨损抗力的影响更强,低∑CSL晶界比例越高材料的抗微动磨损能力越差,晶界工程处理不利于提高材料的微动磨损抗力。     

Al-C-N非晶薄膜结构及导电性研究

为了揭示Al-C-N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系,本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si(100)基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。使用X射线光电子能谱仪、X射线衍射和高分辨透射电镜研究了所制备薄膜的相组成和微观结构。采用四引线法测定了薄膜电阻率-温度关系和霍尔电阻率-磁场关系。实验结果表明,所制备薄膜为非晶结构,结构致密,没有明显的缺陷,薄膜中主要的化学键为C-N,C-C和Al-N键。薄膜的成分对其导电性能有着明显的影响,当Al含量较低时,Al-C-N薄膜为p型半导体;当Al含量较高时薄膜转变为绝缘体。