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1.
采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。 相似文献
2.
3.
简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H~+-ISFET)的基本结构和工作原理,提出了一种新型背面接触式H~+-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题,进行了探讨。最后指出:它在pH值的测量中有较好的实用价值。 相似文献
4.
LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入 相似文献
5.
简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的F-N曲线及湿法腐蚀制备硅尖的开貌。该微二极管转换电压为2伏左右,发射锥尖电流为5μA/锥尖。 相似文献
6.
7.
研究了低压和常压多晶硅膜的氧化并和单晶硅氧化作了比较·样品或者未掺杂或者利用PoCe_3作源气相预淀积掺磷·对于一种掺杂,使用的氧化条件范围较宽,当表面反应速率控制时的氧化,其所用膜的掺杂剂浓度范围比较宽。低压和常压多晶硅膜氧化速率大致相同,而和同样预淀积条件下掺杂的单晶硅有显著的差别·中等掺杂的多晶硅膜似乎由多晶硅膜表面电活性载流子浓度所控制·开始氧化时载流子浓度特别重要,氧化期间堆积在表面的掺杂剂不受控制的结果。单晶硅和多晶硅样品之间氧化速率的明显差别是与两种材料中掺杂原子扩散系数不同有关,并与多晶硅下面存在氧化层有关。重掺杂样品可以找到氧化速率的上限(upper limit)样品的重掺杂大约对应于为膜中掺杂剂固溶度的载流子浓度·轻掺杂多晶硅氧化速率在(111)和(100)单晶硅之间,低压材料氧化稍微快一点,提出多晶硅膜晶向控制的范围,氧化期间,发现所消耗多晶硅对所生长氧化膜的比率为O.43,接近所用单晶硅的数值。 相似文献
8.
9.
10.
人们对于扩展集成电路电压范围以寻求在电信、显示、汽车、电视和马达控制市场的应用表现出相当大的兴趣和努力。探讨途径是从设计新的工艺结构象各种双极MOS结合到用已有的工艺实现新的器件结构。除需要新的器件和工艺结合外,高压器件例如金属化,钝化和封装个别工艺步骤的可靠性提出新的要求。标准电路的典型工作电压在过去的运用中很少超过50伏,但现在产品研制工作目标超过600伏。 相似文献