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2.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 相似文献
3.
间苯二酚溶剂萃取液液相平衡研究 总被引:4,自引:0,他引:4
测定了“醋酸正丁酯-间苯二酚(溶质)-盐水(含0.2质量分率NaCl)”三元系在24℃、101.33kPa下的液液相平衡数据并给出了三角相图,用Hand公式对相平衡数据进行了关联,获得了可供工业连续萃取过程设计使用的关联式。本研究将醋酸正丁酯和正丁醇作为溶剂萃取间苯二酚进行了对比,并指出:醋酸正丁酯优于正丁醇。 相似文献
4.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
5.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放. 相似文献
6.
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。 相似文献
7.
本文在图解法的基础上,通过分析理论塔板与操作线、平衡线之间的关系,建立了适用于气体吸收、液体精馏及液液萃取过程的传质单元数与理论板数间的对应关系,并利用工业低含量物质传质过程,对此关系式进行验证。与实际比较,结果基本一致,且计算过程简单、快捷,可帮助学生加深对传质过程的认识。 相似文献
8.
9.
10.
采用改进的Ellis汽液平衡釜在常压下测定甲基肼(MMH)-水二元体系的汽液平衡数据。用Herington半经验法对其进行了热力学一致性检验。借助化工流程模拟软件Aspen Plus中的物性数据回归(Data Regression)功能,关联得到实验数据的Wilson和NRTL活度系数方程参数。用两种方程计算得到的汽相组成与实验数据进行比较,平均偏差分别为0.0185、0.0252。结果表明两种模型都可用于化工工程设计。 相似文献