Enhanced photoelectric properties of PbSnSe thin films via quick oxygen ion-implantation sensitization

Journal of Materials Science - Although chalcogenide materials continue to generate considerable interest due to great potentials for various optoelectronic devices, annealing for a long time in...     

Detection of crowdedness in bus compartments based on ResNet algorithm and video images

Multimedia Tools and Applications - The crowding in bus is an important factor affecting passenger satisfaction and bus dispatching level. However, how to use video images to detect crowding...     

基于完全互补码波形的非零多普勒目标检测

本文将完全互补码(Complete Complementary Code, CCC)应用于多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)雷达目标探测中，针对具有非零多普勒的多目标检测问题，提出一种基于广义普洛黑-修-莫尔斯(Generalized Prouhet-Thue-Morse, GPTM)序列和二项式系数加权的信号处理方法。该方法分别在发射端和接收端进行处理，在发射端采用GPTM序列设计方法调整脉冲的发射顺序，以降低由多普勒引起的距离旁瓣；在接收端通过二项式设计(Binomial Design, BD)方法为各接收脉冲加上不同权重，扩大目标多普勒附近的清洁区。为综合上述两次处理的优势，将两次处理得到的距离多普勒谱进行逐点最小化处理，得到最终的距离多普勒谱，然后进行有序恒虚警检测。仿真结果表明，本文所提的信号处理方法具有良好的旁瓣抑制效果和多普勒分辨率，能够有效检测出非零多普勒目标。     

温度对变压器绝缘缺陷影响规律的分析及验证

本文中作者研究了温度对油浸式变压器绝缘纸老化水平的影响,开展了频域介电谱测试得出不同的试验温度下绝缘纸的电导率频域谱.推导了温度、电导率和相对介电常数之间的作用情况,并进行实例验证.     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。