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1.
在系统目标分析的基础上,提出了系统的模型体系结构,确定了区域对接模型的目标、决策变量,及约束条件;根据模型要达到的不同日标,分别建立了3种发展方案.该模型可较好地反映局部与整体协调发展的制衡关系,为区域对接的定量研究提供了基础.  相似文献   
2.
介绍了一种新型的便携式心电监测仪的软硬件设计,采用基于ARM核的32位低功耗微处理器作为系统控制核心,软件采用源码公开的嵌入式操作系统μC/OS-Ⅱ。系统可实现心电信号的实时显示和远程监测,具有轻便节能、功能强大、安全稳定等优点。  相似文献   
3.

Bi2S3 polycrystals doped with Al, Mn, Ag, and In were fabricated by vacuum melting and plasma activated sintering process, and the phase, microstructure, electrical, and thermal properties were investigated. The electrical conductivity is enhanced via Al and Ag doping. Compared with the Ag dopant, a higher electrical conductivity is achieved in the Al-doped sample, resulting in a peak power factor value of 1.96 μW/cmK2 at 423 K. Meanwhile, the thermal conductivity of Bi1.99Al0.01S3 sample is very low in the Bi2S3 system due to the high-density defects, and is only 0.39 Wm?1 K?1 at 740 K. By combining a power factor and a low thermal conductivity, a peak ZT value of 0.29 at 740 K is achieved in the Bi1.99Al0.01S3 sample, being about two times larger than that of pristine Bi2S3.

  相似文献   
4.
浸没式光刻技术的研究进展   总被引:6,自引:1,他引:5  
浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。  相似文献   
5.
通过静态阻垢试验、兼容性试验及现场应用试验对几种膜用阻垢剂的综合性能进行了分析.试验结果表明,与国外同类产品相比,TS系列膜用阻垢剂具有更好的使用性能,市场前景广阔.  相似文献   
6.
椭偏仪的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要介绍了椭偏仪的测量原理,比较了不同结构的椭偏仪,并根据具体应用需求介绍了椭偏光谱仪、红外椭偏光谱仪、成像椭偏仪和广义椭偏仪,分析了椭偏仪的数据处理过程,最后展望了椭偏仪的发展趋势.  相似文献   
7.
偏振正交误差对偏振光导航定位系统测量精度的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
偏振正交误差是影响四通道时分复用大气偏振检测系统精度的主要因素。通过建立检偏器阵列偏振正交误差对偏振光导航系统定位精度的影响模型,分析了该误差对大气偏振测量精度与导航定位精度的影响,并进行了实验验证。理论与实验结果表明,降低检偏器阵列偏振正交误差,可以显著提高系统大气偏振测量精度与导航定位精度。当检偏器阵列偏振正交误差无法消除时,调整定位初始角可以明显提高系统测量精度与导航定位精度。  相似文献   
8.
将针对大同市寒冷地区的气候特点,利用建筑能耗分析软件DOE--2,建立典型建筑模型,分别从建筑体型系数、窗墙面积比、外围护结构传热系数以及大同市可利用天然冷热源和设备性能等方面对住宅节能的途径和方法进行分析探讨,进行在寒冷地区利用建筑节能的可行性研究。  相似文献   
9.
城市供热管网由于其管网特性与动力设备以及热用户的阻力不相等,引起了整个管网系统的水力失调,为了使管网系统达到水力平衡,本文将利用流体网络模拟软件对供热系统进行模拟计算,对管网系统进行控制调节以达到理想的运行状态。  相似文献   
10.
利用TiH2粉末膏剂涂覆和在真空下1000或1400℃保温20 min的预处理工艺对反应烧结SiC陶瓷柱进行了表面预处理,再将预处理好的SiC陶瓷柱固定在石墨板上,随后采用金属浇铸工艺制备了一种具有高度陶瓷增强体宏观均匀性、可靠性和可设计性的SiC陶瓷柱阵列增强高铬铸铁复合材料。陶瓷涂层和复合材料界面分析表明:1400℃为较优的SiC表面预处理温度,预处理后SiC表面形成一层可靠的金属性复合层。该复合层在高温浇注过程中不会被溶解,可有效抑制高铬铸铁与SiC陶瓷的界面反应,从而形成无脱层、优良的复合材料陶瓷/金属磨损界面。与该复合材料的金属基体相比,由于SiC陶瓷柱的有效添加,经表面处理后不同陶瓷含量的SiC/高铬铸铁复合材料的耐磨性能均显著提高。  相似文献   
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