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Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向,SEM观察薄膜断面形貌,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关,随着沉积温度100℃→250℃的改变,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。 相似文献
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基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响 总被引:8,自引:2,他引:6
利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。 相似文献
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本文用磁控射方法制备了几种Mo/SiO2多层膜。在北京同步辐射装置(BSRF)的衍射站上测量了其氏角X射线衍射(XRD)谱,并利用基于光学动力学理论的递推公式对低角X射线衍射谱进行了拟合,定量分析了膜层的周期结构和界面度以及界面度与层数、层厚的关系。同时用高分辩电子显微镜(HREM)对一样品的截面进行了观察。 相似文献
8.
高效率平面磁控溅射器的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法,通过扩大靶表面的等离子放电区域面积,使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W/cm~2时溅射速率约为800nm/min,如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64%左右。另外,在认为出射粒子符合cos~nθ分布的前提下,发现当n=3.3时,实验数据和理论数据符合得较好。 相似文献
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沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PZT(53/47)薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的电场下,疲劳循环直到4×108次时,最大极化强度仍有20.6μC/cm2,降低了约34%,其剩余极化强度保持为10μC/cm2左右。 相似文献