抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。     

内燃机活塞环表面处理技术

活塞环在内燃机中有着支撑、密闭、储油、导热的作用,内燃机活塞环制备材料应该具备优良的加工性能、耐高温、耐腐蚀、导热性好且具有良好的强韧性,较好的与气缸材料表面的磨合性能。球墨铸铁和专用钢材已经成为制备内燃机活塞环的基础材料,目前国内外采用多种表面处理技术比如:镀铬、氮化、PVD与CVD镀膜、喷钼、喷涂陶瓷层等表面处理工艺进行表面改性,提高内燃机活塞环的使用寿命和使用性能。需要不断研究和开发新的内燃机活塞环的表面处理技术来满足实际生产和应用中内燃机越来越高的要求。     

等离子切割常见缺陷和控制方法

等离子切割是下料常用方式,同时等离子切割也会产生多种缺陷。文章结合生产经验对等离子切割常见缺陷进行总结,并提出控制方法,为提高等离子切割质量提供借鉴。     

以辉锑矿为原料放电等离子烧结快速制备黝铜矿Cu_(12)Sb_4S_(13)及反应机理

采用辉锑矿为原料成功制备出Cu_(12)Sb_4S_(13)块体。研究以Sb_2S_3矿物为原料时烧结工艺对Cu_(12)Sb_4S_(13)合成的影响。在400 ～ 440℃温度区间内均可快速合成Cu_(12)Sb_4S_(13)块体且二次烧结能够进一步减小中间相CuSbS_2和Cu_3SbS_3。第二相Cu_3SbS_4和残留相CuS随着烧结时间的延长而降低。二次烧结前进行机械化球磨处理,干磨比湿磨更容易减小残留相。初次烧结块体的断面SEM和EDS能谱分析表明内部存在Cu或Cu_2S颗粒团聚现象。适当降低Cu或CuS摩尔量(化学计量比0.1 mol)能促进烧结块表面反应进行。烧结过程中,硫磺蒸汽压的导致烧结块表面成分和内部粉末的成分不同。     

美国CES消费电子展中,LCD、PDP、LCoS等电视市场划分渐显

新型数字显示器技术的发展 ,使得显像 (ＣＲＴ)电视逐渐出局的态势愈见明显 ,在日前美国ＣＥＳ消费电子展中 ,从等离子电视 (ＰＤＰ)、液晶电视 (ＬＣＤＴＶ)、到数字光源处理 (ＤＬＰ)与ＬＣｏＳ等投影电视大放异彩 ,欲争夺新一代电视产品的主流地位。尤其数字电视亟力走向大尺寸化 ,价格逐步走低 ,展出规模更甚以往 ,而日商在此次展览中相当积极 ,更显示出了日本家电厂商欲进军美国电视机市场的企图心。在液晶电视方面 ,厂商均极力朝大尺寸方向走 ,较具代表性的如Ｓａｍｓｕｎｇ推出 4 6英寸与 5 4英寸 (192 0× 10 80 )ＬＣＤＴＶ ,为参…     

纳米AlN粉末的制备与烧结

利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4～8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1～2μm.     

等离子显示器（PDP）的原理和应用

等离子显示器（PDP）是近几年来高速发展的等离子平面屏幕技术的新一代显示设备。等离子彩电是用等离子显示技术制造的高科技彩电，这种彩电的主要特点是图像清晰逼真，可在室外及普通居室光线下提供清晰的视频图像，并可在任何环境下提供大屏幕视角，而且屏幕非常轻薄，厚度仅有几厘米，非常便于安装，是彩电中真正的高端产品。     

新一代谐振半桥拓扑专用高压IC

专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片L6599功能丰富，设计可靠，性能卓越，支持保护全面和高可靠性的电源设计，特别适用于液晶电视和等离子电视的电源、便携电脑和游戏机的高端适配器、80＋initiative-兼容ATX电源和电信设备开关电源。