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1.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
2.
《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研),日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度),突破了实用化所要求的标准 相似文献
3.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
4.
5.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
6.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
7.
本文介绍一种确定SOI/MOS结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法(其掺杂剖面是随机不均匀的)。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的SOI结构和SOS结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见,在包含有晶粒间界和子晶粒间界的SOI薄膜中,沿膜厚的载流子迁移率是恒定的,而且远远超过SOS膜中的迁移率。 相似文献
8.
9.
通过把迁移率的实测值与影响HgCdTe晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比,得出结论:位错是HgCdTe晶体低温电子迁移率降低的主要原因。 相似文献
10.
区域熔融技术在InSb薄膜热处理中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对真空分层蒸镀的InSb薄膜进行了区域溶融热处理,与普通升温热处理相比,薄膜的结晶度和电学性能有较大的提高。应用成膜理论分析了区域熔融技术对于InSb薄膜结构和性能的影响。 相似文献