架空线路污闪问题分析

随着社会的进步和经济的迅猛发展,环境污染造成的危害日趋突出。电力架空线路分布广,长期处于露天运行的情况,不可避免地经常会受到周围环境和大自然变化的影响,从而在运行中引发污闪事故,如2001年初北方地区发生的大面积污闪。为防止线路发生污闪事故,保证线路的安全运行。本文就线路污闪的产生机理及应采取的治理措施谈及了自己的观点。     

35～1000kV线路绝缘子污闪电压值的估算

针对目前绝缘子污闪电压缺乏系统研究的现状,建立了35~1 000 kV输电线路用普通型绝缘子交流污闪电压的计算模型即展开普通型绝缘子成平面模型后分析交流污闪条件,计算出绝缘子在不同表面污层电导率条件下的临界污闪电压值;对35~1 000 kV输电线路用5种不同吨位的普通型绝缘子进行交流人工污秽试验,获其在各盐密下的50%污闪电压;通过计算值和试验值的对比,可将绝缘子表面污层电导率转化为盐密,从而算出各普通型绝缘子在不同盐密下的交流污闪电压值。试验验证计算结果误差小,说明该模型能够有效估算代表普通型绝缘子的50%污闪电压情况。该研究结果可供各电压等级输电线路外绝缘选择参改。     

污秽等值盐密的测量及影响其准确度的因素

等值盐密是我国用于衡量绝缘污秽程度的重要特征量，本文略述其应用的历史，对其测量中影响准确度的因素详细讨论。     

湿沉降对珠海地区输电线路外绝缘的影响

对珠海地区2010年2月2~7日连续大雾期间输电线路在线监测数据进行分析,证实了湿沉降(酸雾和盐雾)是沿海地带化工产业集聚区域绝缘水平降低的主要原因,也是盐密测量值低而实际污秽等级高的主要原因。监测到清洁绝缘子在湿沉降中的严重放电现象,揭示了盐密与运行经验脱节的关键因素,认为积污与大气中的湿沉降同时标定才能较准确地评定污秽等级。对复合、瓷和玻璃绝缘子的监测数据进行比较后证明,提高瓷和玻璃绝缘子的爬电比距不能有效地遏制湿沉降对外绝缘的危害,复合绝缘子具有明显的优势。     

广州换流站高压直流设备防污闪措施探讨

统计分析了广州换流站高压直流设备的污闪放电情况 ,对比分析了目前几种可能的防污闪措施 ,并根据站内高压直流设备的实际运行情况及所处区域的盐密变化情况 ,对广州换流站防污闪措施提出了几点建议。     

珠三角地区不同地形条件下绝缘子污秽积累规律的研究

笔者选取中国珠江三角洲地区220 kV输电线路上的4个试验点,结合珠三角地区的年降水分布与城市热岛效应等因素,通过分析试验点上绝缘子的盐密(ESDD)和灰密(NSDD)变化来研究珠三角地区不同地形下绝缘子表面积污积累规律。研究表明:绝缘子的ESDD受降雨影响较大而NSDD较小;影响绝缘子积污的主要因素是降雨量和污染源;绝缘子的最大污秽度出现在雨季第1场降雨之前;不同地形下绝缘子表面积污积累规律不同;热岛效应在污秽积累过程中起了重要作用。     

污秽绝缘子表面局部电弧与泄漏电流波形特征间对应关系分析

污秽绝缘子表面局部电弧的发展变化与泄漏电流密切相关。为此,以普通悬式瓷绝缘子XP-70为试品,在人工雾室环境下进行了大量人工污秽试验,研究了污秽绝缘子表面局部电弧与泄漏电流波形特征之间的关系。利用泄漏电流采集装置连续存储了电流波形并利用高速摄影仪同步拍摄了放电过程,详细记录了绝缘子表面的局部放电现象以及泄漏电流的发展变化过程,揭示出局部放电强度与泄漏电流波形类别之间的对应关系;通过提取不同局部放电强度下泄漏电流波形的多个特征量(半波极大值同极小值之比k;波动率为k的电流波形在1s内出现的次数fk;一定时间内fk出现的总次数Ck及fk的最大值fkmax),研究了整个试验过程中各特征量的变化规律以及它们与等值盐密ρESDD之间的关系。研究结果表明,可以根据泄漏电流波形特征初判绝缘子表面的放电程度;根据fk变化规律及局部放电强度,能更加明确地将泄漏电流划分为3个区段即安全区、预报区和危险区;在污秽严重的情况下,fkmax(k>80)在一定程度上能较好地反映绝缘子的污秽程度和放电强度;Ck(50相似文献   

污秽绝缘子表面干区形成的影响因素

干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明:随着等值附盐密度(ESDD)的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度(NSDD)的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。     

硫酸钙对等值盐密贡献的定量分析与验证

定量计算了CaSO4对等值盐密(ESDD)的贡献,并通过比较闪络电压Uf的实测值与计算值给出了间接验 证。结果表明,CaSO4对X-4.5型绝缘子实际盐密的贡献值≤9.4μg/cm2,其表观盐密数值范围是0～0.31mg/ cm2。污秽中w(CaSO4)>18.32mg时表观盐密高于实际盐密。用实际盐密修正表观盐密可使Uf的计算值与实 测值基本吻合。用NaCl和CaSO4混合盐进行的人工污秽试验表明,Uf随混合盐中w(CaSO4)增加而升高的主要 原因是实际盐密随着w(CaSO4)增加而下降。自然污秽绝缘子Uf高于人工污秽的重要原因是其w(CaSO4)高,使 实际盐密显著小于表观盐密。该结果可供用光纤传感器和光谱法测量盐密时参考。     

绝缘子污秽度等级判断新方法

设计了一种可代替人工判断的绝缘子污秽等级辨识方法,并基于新标准IEC 60815-1：2001给出的盐密、灰密与现场污秽度的对应关系,开发一个绝缘子污秽度等级判定程序,利用采样点的盐密值和灰密值,以最小二乘法拟合污秽等级的分界曲线,来确定绝缘子的污秽等级。实践证明,该方法不仅提高了工作效率,而且准确性比人工判断要好。