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1.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
2.
3.
江兆祥 《电信工程技术与标准化》2003,(4):89-91
本首先介绍了语音编码技术中对语音质量的评价方法,然后对几种典型的IP电话语音压缩技术标准进行了阐述,最后,对三种常用的IP电话语音压缩技术参数进行了比较。 相似文献
4.
5.
6.
7.
本征吸除硅片特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60%,以上优品率≥85%。 相似文献
8.
Zhang Xiumiao 《电子科学学刊(英文版)》1992,9(3):265-269
When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate
surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The
experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation
capacitance method. 相似文献
9.
运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,驱动电流达10~50AP-P激光器电源的要求. 相似文献
10.
用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0~10%HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120~300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)~1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6%HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。 相似文献