阀控铅酸蓄电池板栅合金的电化学性能研究

系统地研究了不同板栅合金的耐腐蚀性、析气性能、表面腐蚀层阻抗等电化学性能。研究结果表明降低钙的含量,提高锡含量能使合金的耐蚀性能提高,但锡的加入会降低析氢过电位,过高的锡含量将加大电极的析氢电流,从而有可能增加电池的自放电。板栅合金的交流阻抗谱有阻抗半圆旋转现象,根据测试数据分析得出半导体等效电路比较符合具有半导体性氧化物层的板栅合金的实际情况。交流阻抗的测试结果表明锡的加入能改善钝化层的导电性。     

热处理工艺对蓄电池用铅合金带腐蚀性能的影响

为研究确定热处理工艺对蓄电池用铅合金带腐蚀性能的影响,通过测定不同热处理参数条件下Pb-Ca-Sn-A1合金于硫酸环境不同时间段里腐蚀重量的变化,并与未进行热处理试样的对比分析,结果表明：通过轧制和热处理工艺的有机结合,Pb-Ca-Sn-A1合金带可以获得更为理想的抗腐蚀能力。     

铅-钙-锡-铝合金基于时效脱溶机制的二次硬化行为

采用硬度测量和场发射扫描电镜(FESEM)观察等方法研究了Pb-0.05?-1.5%Sn-0.026%Al(质量分数)合金在310℃固溶、100～200 ℃时效的二次硬化行为.结果表明:其时效硬化曲线呈双峰状;时效温度越高,时效硬化峰和二次硬化峰值越低.     

异步轧制Pb-Ca-Sn-Al合金晶界节点分形分析

为了确定晶界节点分形维数是否存在,以低碳钢冷轧薄板标样为研究对象,在MATLAB软件平台上自行开发了晶界分形维数计算程序,采用标准分形图形-koch曲线检验了自开发分形程序的准确性,利用该程序计算了3种标准下(不同晶粒延伸度)不同晶粒度级别的金相图片晶界节点分形维数,并研究了不同工艺条件下Pb-Ca-Sn-Al合金晶界节点的分形维数.结果表明:自开发的分形计算程序准确;晶界节点的分形维数存在;不同工艺条件Pb-Ca-Sn-Al合金晶界节点的分形维数与工艺参数之间存在定量联系.在一定范围内,随着压下率、异速比、退火温度的增加,晶界节点的分形维数随之增加;随退火时间的增加,Pb-Ca-Sn-Al合金晶界节点分形维数先上升后下降;退火张力增加,晶界节点分形维数下降.     

铅酸蓄电池板栅合金的EIS研究

用交流阻抗(EIS)和交流伏安(ACV)法研究了纯铅、铅锡以及两种Pb Ca Sn Al合金在900mV(vs.Hg/Hg2SO4)极化不同时间后的行为。测试表明腐蚀膜是由外层的PbSO4和内部的PbO构成,PbO的导电性较差,是形成钝化层的主要原因,加Sn有助于降低PbO的厚度,有效防止钝化层的形成。原因可能是由于Sn的氧化产物导电性较好,夹杂到腐蚀膜中提高了腐蚀膜的导电性,并有利于导电性PbOx的生成,保证电池在深循环条件下的应用。但对于长时间的极化来说,钝化层的导电性还是逐渐降低,这可能是由于锡的氧化物又逐渐溶解于硫酸中所造成的。     

一种新型板栅合金配方的开发

采用铅钙锡铝四元合金的传统的电动车正极板栅往往在电池使用了2～3a就发生了筋条腐蚀断裂的情况,导致电池的使用寿命终止.鉴于此,我们提出一种新新型板栅合金配方,在四元合金的基础上加入Na、Ag以及Bi.通过显微镜观察金相组织、硬度和拉力测试、电化学性能测试和电池性能测试等实验来研究新型合金板栅和这种板栅所组装成的铅酸蓄电...     

铋对铅酸蓄电池用Pb-Ca-Sn合金性能的影响

实验采用塔菲尔曲线、动电位线性扫描、交流伏安等电化学方法研究了不同铋含量的铅钙锡铝板栅合金的电化学性能,并用显微硬度计测试硬度。结果表明,添加适量的铋,可以提高合金的耐腐蚀性,抑制Pb（Ⅱ）的生长,减小阳极膜的阻抗,提高电池的深充/放电性能,提高合金板栅的显微硬度。但过多的铋反而恶化Pb-Ca合金的电化学性能和机械性能。     

电动自行车用电池循环寿命过程中参数的变化

经过改进,提高了铅钙锡铝合金电池的深循环寿命,循环寿命达到了435次。详细研究了电池在循环过程中电池的失水量、残余电流、过充电的安时数和电池容量的变化,这些参数的研究会对电池寿命的进一步改进和充电器的设计提供很多有用的信息。     

铅蓄电池无镉板栅取代含镉板栅势在必行

按正极板栅采用的合金材料不同,电动自行车用阀控铅蓄电池可分为用铅锑镉合金的“含镉产品”和用铅钙锡铝合金的“无镉产品”。叙述了电动自行车用阀控铅蓄电池的“含镉产品”和“无镉产品”发展过程及其优缺点。指出了由“含镉产品”向“无镉产品”的转变已势在必行。介绍了制造长寿命“无镉产品”的主要措施。     

冷轧变形Pb-Ca-Sn-Al合金在回复和再结晶过程中的晶界特征分布

采用电子背散射衍射（EBSD）技术研究了冷轧变形Pb-0．1％Ca-1．5％Sn-0．026％Al合金在回复和再结晶过程中的晶界特征分布（GBCD）．结果表明：在回复过程中，合金内形成了比例接近50％的平直∑3晶界，这类晶界不处在由一般大角度晶界构成的晶界网络上，不能使合金的GBCD得到优化；相反，在再结晶过程中，除了生成比例超过50％的∑3晶界外，还出现了较多的∑9和∑27等低∑重位点阵晶界（CSL），并且这些晶界和相当多的弯曲的∑3晶界均处在由一般大角度晶界构成的晶界网络上，可以使合金的GBCD得到优化，进一步的分析指出：回复过程中所形成的平直的∑3晶界是共格孪晶界，它们能量很低，很难迁移；在再结晶过程中，除了生成不可迁移的共格的∑3孪晶界外，还可形成大量可迁移的弯曲的非共格∑3晶界，这类晶界的迁移和彼此会合可形成∑9和∑27等∑3^n（n为正的整数）晶界，这是合金GBCD得到优化的根源。