降低射频电路串扰噪声的布线方法

研究并解决了无障碍多层无网格射频电路的布线问题,主要包括三个部分:设计规则、串扰噪声限制和布线方法.首先通过设计规则计算连线参数,运用RLc模型估算串扰噪声,然后,按照需要连接的实节点个数进行归类并提出相应的布线算法.实验结果表明,该布线方法可有效地降低射频电路的串扰噪声.     

内嵌射频IC卡式PDA及其应用

将射频IC卡读写器内嵌入PDA之中，开发出内嵌射频IC卡式PDA，可作为便携式POS机使用．在PDA中嵌入桑夏2000操作系统后，以Borland C Builder为开发语言，开发出管理新型内嵌射频IC卡式PDA的应用系统．     

低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计

以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.     

利用简单电阻偏置网络实现的高线性度电流驱动型无源混频器

A high linearity current communicating passive mixer including the mixing cell and transimpedance amplifier(TIA) is introduced.It employs the resistor in the TIA to reduce the source voltage and the gate voltage of the mixing cell.The optimum linearity and the maximum symmetric switching operation are obtained at the same time.The mixer is implemented in a 0.25μm CMOS process.The test shows that it achieves an input third-order intercept point of 13.32 dBm,conversion gain of 5.52 dB,and a single sideband noise figure of 20 dB.     

65-nm CMOS上带图案悬浮屏蔽的片上巴伦的特性

本文首先用一种简单的巴伦综合方法在工作频率范围内对巴伦结构进行估计,并借助电磁场仿真优化来检验估计的准确性,然后把优化后的巴伦（包括带屏蔽和不带屏蔽的两种情况）用于65-nm 1P6M CMOS工艺进行实现。测试结果显示图案悬浮屏蔽结构在频率范围内明显改善了插入损耗,并十分清晰地显示了线性改善的趋势。我们同样注意到图案悬浮屏蔽结构随着频率的增加逐渐改善了巴伦的相位平衡性,但对巴伦的幅度平衡性影响很小。为了得到器件本身的功率传输能力,我们提出一种方法从测得的三端口S参数直接获得巴伦的最大可用增益（Gmax）,并发现使用插入损耗比较的方式来检验屏蔽效果不是十分客观。另外阻性耦合效率也被用来衡量屏蔽效果。虽然图案悬浮屏蔽结构在测试中是完全对称的,但我们发现它对巴伦显示出不平衡的屏蔽效果。我们可以证明这种不平衡的屏蔽现象来自于巴伦本身的版图不平衡性。     

2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试

本文采用CMOS工艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明,该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上,3dB带宽约为110MHz,功率增益为22dB,NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.     

领先的RFIC低成本测试方案

主流RFIC的高频率，高带宽，多射频端口的特点对现在的RFATE系统构成了不小的挑战，以模块化架构为基础的RFATE架构凭借丰富的射频端口资源、高效的并行测试构架、人性化的操作界面，以及先进的测试板为复杂RFIC提供了低成本测试解决方案。     

基于射频卡与校园网的学生实验签到系统

在分析现有高校实验管理方式基础上，从提高实验教学质量的角度出发，结合教学实践，介绍了一种基于非接触式IC卡的实验签到系统的设计方案、系统组成、主要功能以及该系统的硬件和软件部分的具体实现技术。     

Alternative approach to low‐noise amplifier design for ultra‐wideband applications

Conventional ultra‐wideband low‐noise amplifiers require a flat gain over the entire 3.1–10.6 GHz bandwidth, which severely restraints the trade‐off spaces in low noise amplifier design. This article proposes a relaxed gain‐flatness requirement based on system level investigations. Considering the wireless transceiver front‐end with antenna and propagation channel, the unflat‐gain low‐noise amplifier with an incremental gain characteristic does not degrade the performance of overall system. As an alternative to its flat‐gain counterpart, the proposed unflat gain requirement tolerates gain ripple as large as 10 dB, which greatly eases the design challenges to low‐noise amplifier for ultra‐wideband wireless receivers. Two low‐noise amplifier examples are given to demonstrate the feasibility and design flexibility under the proposed gain‐flatness requirement. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2007.     

高集成度RFIC提升4G LTE基站容量和速度

随着全球移动运营商向4G技术演进,需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡,以支持提供连续语音和高数据速率服务。特别是手机用户数与全球无线基础设施建设的快速增长,这就要求基站必须提升数据流容量(蜂窝容量)和速度,因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。