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1.
Noncentrosymmetric (NCS) tetrel pnictides have recently generated interest as nonlinear optical (NLO) materials due to their second harmonic generation (SHG) activity and large laser damage threshold (LDT). Herein nonmetal-rich silicon phosphides RuSi4P4 and IrSi3P3 are synthesized and characterized. Their crystal structures are reinvestigated using single crystal X-ray diffraction and 29Si and 31P magic angle spinning NMR. In agreement with previous report RuSi4P4 crystallizes in NCS space group P1, while IrSi3P3 is found to crystallize in NCS space group Cm, in contrast with the previously reported space group C2. A combination of DFT calculations and diffuse reflectance measurements reveals RuSi4P4 and IrSi3P3 to be wide bandgap (Eg) semiconductors, Eg = 1.9 and 1.8 eV, respectively. RuSi4P4 and IrSi3P3 outperform the current state-of-the-art infrared SHG material, AgGaS2, both in SHG activity and laser inducer damage threshold. Due to the combination of high thermal stabilities (up to 1373 K), wide bandgaps (≈2 eV), NCS crystal structures, strong SHG responses, and large LDT values, RuSi4P4 and IrSi3P3 are promising candidates for longer wavelength NLO materials.  相似文献   
2.
This paper proposes a method for the coordinated control of power factor by means of a multiagent approach. The proposed multiagent system consists of two types of agent: single feeder agent (F_AG) and bus agent (B_AG). In the proposed system, an F_AG plays as an important role, which decides the power factors of all distributed generators by executing the load flow calculations repeatedly. The voltage control strategies are implemented as the class definition of Java into the system. In order to verify the performance of the proposed method, it has been applied to a typical distribution model system. The simulation results show that the system is able to control very violent fluctuation of the demands and the photovoltaic (PV) generations.  相似文献   
3.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel.  相似文献   
4.
5.
在分析单一MU(Most Uncertainty)采样缺陷的基础上,提出一种"全局最优搜寻"方法 GOS(Global Optimal Search),并结合MU共同完成查询选择。GOS+MU方法中,GOS着眼全局寻找目标,在应用环境能提供的训练样本数量有限、分类器受训不充分时,该方法选择的对象学习价值高,能快速推进分类器学习进程;MU则能够在GOS采样失效情形下,利用分类器当前训练成果,选择查询不确定性最强的样本补充训练集。通过对网络商品的用户评论进行分类仿真,并比较其他采样学习方法的效果,证明了GOS+MU方法在压缩学习成本、提高训练效率方面的有效性。  相似文献   
6.
7.
张翼翔 《电子测试》2021,(4):97-98,118
仪器仪表产品的脉冲耐压试验是产品型式试验、例行试验中的基本内容。通过对GB4793.1标准的整理,归纳了仪器仪表产品的脉冲耐压试验要求。通过对试验方法和设备特性的梳理,总结了特性参数,并介绍了应对脉冲耐压试验可采取的保护器件的类别及选用方法。  相似文献   
8.
面对电信承载网连接的日益增长的海量终端设备,运营商需要结合网络拓扑对终端设备产生的数据进行高效的汇聚统计、异常分析、故障定位处理等操作。针对已有系统存在的操作困难、分析效率低等问题,设计与实现了一个面向电信承载网的高效监控系统,提供实时与离线数据分析和多维可视化分析的能力。对网管、认证、终端等系统及设备采集的数据进行结构化存储,对采集的数据进行拓扑相关性和时间序列方法分析,根据分析结果实现基于动态阈值控制的异常实时告警、定位等操作,并提供多维度可视化分析对网络状态进行实时监控。实际应用结果表明,该系统性能优异,具有良好交互性,能较好地满足承载网运维人员业务分析需求。  相似文献   
9.
为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4%,11.3%,10.4%和11.6%.  相似文献   
10.
The present work reports the realization of an analog fractional‐order phase‐locked loop (FPLL) using a fractional capacitor. The expressions for bandwidth, capture range, and lock range of the FPLL have been derived analytically and then compared with the experimental observations using LM565 IC. It has been observed that bandwidth and capture range can be extended by using FPLL. It has also been found that FPLL can provide faster response and lower phase error at the time of switching compared to its integer‐order counterpart. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
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