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半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。 相似文献
3.
《中国粉体技术》2015,(5)
研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。 相似文献
4.
为了节省冰洲石晶体材料、并实现偏光棱镜光路的直角分束,采用冰洲石晶体与氟化钡晶体二元复合的方案,设计了一种冰洲石-氟化钡紫外直角分束偏光镜。以波长为265.6nm的紫外光为例给出了设计实例。从理论上分析了入射光经过该偏光棱镜后,e光、o光的分束角和光强分束比随入射角及入射光波长的关系,并通过计算软件作出关系曲线图。结果表明,该偏光棱镜分束角与直角偏差小,e光、o光的光强分束比约为1:1;在240nm~400nm的波段范围内,垂直入射对应的直角分束偏差小于1.0°,光强分束比与1的偏差在0.02以内,具有较宽的光谱适用范围。该研究对直角分束棱镜的设计、制作以及实际使用提供了有价值的参考。 相似文献
5.
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8.
用CPLD实现SRAM工艺FPGA的安全应用 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种利用CPLD产生的伪随机码来加密SRAM工艺FPGA的方法,并详细介绍了具体的电路和VHDL代码。 相似文献
9.
10.
PON技术分析PON技术已经成为业界公认的实现FTTH的首选方案。PON系统由局端设备(OLT)、用户端设备(ONU/ONT)和光分配网(ODN)组成。所谓“无源”,是指ODN全部由无源光分路器和光纤等无源光器件组成,不包括任何有源器件。PON技术采用点到多点拓扑结构,下行和上行分别通过TDM和TDMA方式传输数据。 相似文献