VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

Fundamental Evaluation of Power Supply and Rectifiers for Wireless Power Transfer Using Magnetic Resonant Coupling

This paper provides a fundamental analysis of a power supply and rectifiers for wireless power transfer using magnetic resonant coupling (MRC). MRC enables efficient wireless power transfer over middle‐range transfer distances. MRC for wireless power transfer should operate at a high frequency in the industry science medical band, such as 13.56 MHz, because the size of the transfer device decreases at higher transfer frequencies. Therefore, the output frequency of the power supply on the transmitting side should be 13.56 MHz. In addition, the rectifier on the receiving side is operated at a high frequency. This paper focuses on the reflected power in the power supply and rectifiers. Thus, the parametric design method is clarified for the power supply, including a low‐pass filter to match the output, the impedance of the power supply with the characteristic impedance of the transmission line. In addition, the effects on the rectifiers of silicon carbide and gallium nitride diodes are confirmed by performing an experiment and a loss analysis.     

继电保护中多路模拟量采集系统的设计

介绍了一种基于高性能浮点DSP芯片TMS320C32、CPLD芯片XC95288和A/D采样芯片AD976组成的多路采集系统的工作原理以及设计方法。通过对第一路施加特殊的电压量,在CCS开发环境下读取采样缓冲区的值,并利用Matlab对采样数据进行了全波傅氏变换。此外,该系统已在继电保护中得到广泛应用,实践表明,该系统能较好地解决多路模拟量的采集,并确保了采样数据的安全可靠性。     

乐滩灌区输水隧洞穿合山煤矿采空区处理设计

分析了乐滩灌区工程北干渠溯河隧洞段长约1.06 km穿合山煤矿采空区的地质情况.借鉴高速公路煤矿采空区的成功处理经验,通过科学分析,对采空区变形和区域内覆岩的稳定性做了评价,论述了输水线路穿采空区段采取全充填压力注浆法的工程处理方法.     

基于电源、地桥的电源网络布线后优化

随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

300km/h高速铁路PC槽型梁动力试验研究

介绍北方交通大学与比利时鲁汶大学、布鲁塞尔自由大学、比利时铁路公司合作,在巴黎至布鲁塞尔之间高速铁路线上的Antoing大桥进行的二次高速铁路桥梁动力试验。试验桥梁由跨度50m的多跨预应力混凝土简支槽型梁构成,试验中列车速度达265-310km/h。通过现场试验和实验结果分析,得到了桥梁的频率、振型、阻尼等自振特性,以及桥梁在高速列车作用下的动挠度、梁和桥墩的横向和竖向加速度、橡胶支座的相对位移、梁体的动应变等动力响应特性。试验经验和测试结果对于充实高速铁路桥梁动力分析理论、改进数值分析模型、验证计算结果、提高高速铁路桥梁的动力设计水平、保证行车安全,具有重要的意义。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

交通平衡分配下的公路桥收费策略

假定一个城市被一条河流分为两部分（如我国的武汉，重庆等市），河上至少架设了两座公路桥梁，本文研究在交通平衡状态下，怎样制定车辆过桥梁的收费水平，使获得的总收入最大，乘客的总行驶时间最少，对多车种问题，研究了等价的数学模型和算法。还对一个含两座桥梁与三种车型的简单算例，进行了计算与分析。     

特大型桥梁工程地质勘察区域地壳稳定性研究

重大工程区域地壳稳定性研究，是工程前期工程地质勘察的重要内容之一，并越来越多地为工程建设所重视。大桥工程地质勘察以往对此涉及较少，也无明确的统一规定，以长江上所建特大桥为例，对此项工程作了些探索性的研究，重点研究的问题是：区域构造环境及构造变形，地壳结构和深部构造，新构造活动，断裂活动，地震活动等，为大桥建设宏观决策和抗震设计提供依据。