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1.
为了优化设计的5.8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致.在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1.6 dB,前向增益为13.7 dB,功耗为8.3 mW,达到了802.11a系统集成的要求.最后给出了LNA版图和后仿真结果. 相似文献
2.
从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常直接,因此容易在CAD里面编程实现.提参得到的等效电路模型对于射频电路设计者来说也是非常有用的. 相似文献
3.
4.
Efficiency of magnetic coupled boost DC‐DC converters mainly dedicated to renewable energy systems: influence of the coupling factor
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The Vinh Nguyen Pierre Petit Michel Aillerie Chafic Salame Jean‐Pierre Charles 《International Journal of Circuit Theory and Applications》2015,43(8):1042-1062
This paper presents a specific analysis of an individual basic magnetically coupled direct current‐to‐direct current (DC–DC) converter specially designed for integration in a distributed architecture of renewable energy generators for smart grid applications. In such distributed architecture dedicated for renewable energy, parallel high‐voltage DC presents many advantages over the classical centralized one. We show that in such setup, high voltage can be advantageously produced using a specific magnetically coupled boost converter, and we point out the influence of the coupling factor, generally considered equal to one, on the overall performance of the converter and on the global energy efficiency of the installation. In this study, the generalized concepts of system energy parameters of DC–DC converters are introduced and applied to the transient analysis. Consequently, the operation of a magnetic coupled DC–DC converter with a recovery stage is modeled. The simulation results are compared with those of the behavioral study, deduced from the model pointing out the large influence of the coupling factor value on the global behavior and mainly on the value of the recovery voltage, in all the various parts of the switching cycle. The renewable energy generator operating parameters, such as current and voltage values, can then be predicted in a more useful way to compute new similar DC–DC converter systems. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
5.
In this article, we consider the computing of conformal modules and their application for inductance calculation of spiral inductors with optimized layout. We present a novel and efficient method for inductance and quality factor calculation of inductors with a variable conductor width. The computed inductance is compared with earlier published experimental data and very good agreement is achieved. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2006. 相似文献
6.
For integrated spiral inductor synthesis, designers and design automation tools require efficient modeling techniques during
the initial design space exploration process. In this paper, we introduce an analytical frequency-dependent resistance model
for integrated spiral inductors. Based on our resistance formulation, we have developed a systematic technique for creating
wide-band circuit models for accurate time domain simulation. The analytical resistance model provides a fast alternative
to field solver-based approaches with typical errors of less than 2.6 percent while surpassing the accuracy of several other
analytical modeling techniques by an order of magnitude. Furthermore, the wide-band circuit generation technique captures
the frequency-dependent resistance of the inductor with typical errors of less than 3.2 percent. 相似文献
7.
基于对称螺旋型电感和差分二极管的2.4GHz CMOS正交输出压控振荡器 总被引:5,自引:5,他引:0
提出了一种产生2.4GHz正交本地振荡信号的方法.它将LC-VCO和两级环路振荡器两种结构组合起来以实现正交输出的低相位噪声压控振荡器.LC网络是由在片对称螺旋型电感和差分二极管组成的.详细论述了VCO原理及其噪声性能.该电路已经用0.25μm单层多晶、五层金属N阱CMOS数字工艺制作.测量结果表明:它可以提供正交的本地振荡信号,其振荡频率可以在300MHz的范围内调节,当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时,振荡频率为2.41GHz时,去偏移中心为600kHz时的相位噪声为-104.33dBc/Hz.而且,它能在很低的电源电压下工作,功耗也很低,所以,它在集成收发机中将得到广泛的应用. 相似文献
8.
为使电器附件开关寿命比对试验条件能较好地符合IEC和GB有关标准要求,建了一套由Labview图形软件监控的空铁芯感性负载无人值守的控制柜装置,比对试验核心是对开关触点电寿命的影响。 相似文献
9.
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 总被引:2,自引:1,他引:1
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。 相似文献
10.
由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。 相似文献