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1.
Soheil Khosrogorji Sepehr Soori Hossein Torkaman 《International Journal of Circuit Theory and Applications》2019,47(10):1645-1663
In this paper, a new design procedure for LLC converter has been introduced. In fact, this method is a computer-based design algorithm based on a numerical technique. In the process of designing, the value of the resonant element is obtained by solving the LLC converter fundamental equation. This converter will be controlled by using state feedback, such as output voltage variable. As a matter of fact, in a control system, the change of output voltage (because of load variation) will affect the switching frequency, so the output voltage will be tuned. In the designing process, the fundamental equations of LLC converter are obtained, and the value of the resonant elements is calculated. Also, a comparison analysis is carried out between the proposed and typical methods. The simulation is done to investigate the validity of the proposed method. Moreover, a prototype is manufactured, and the experimental test is done to evaluate its applicability. 相似文献
2.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
3.
CMOS光接收机主放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。 相似文献
4.
5.
6.
7.
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。 相似文献
9.
D.Z.-Y. Ting X. Cartoixà T.C. McGill D.L. Smith J.N. Schulman 《Journal of Computational Electronics》2002,1(1-2):147-151
The Rashba effect resonant tunneling diode is a candidate for achieving spin polarizing under zero magnetic field using only conventional non-magnetic III–V semiconductor heterostructures. We point out the challenges involved based on simple arguments, and offer strategies for overcoming these difficulties. We present modeling results that demonstrate the benefits of the InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunneling diode (a-RITD) for spin filtering applications. 相似文献
10.
A compact lumped‐element equivalent circuit model of two‐layer integrated spiral inductors on silicon substrates is developed in this article. Based on this proposed model, excellent agreements are achieved between the measured and simulated S‐parameters for different inductors. Also, both self‐ and mutual inductances of two‐layer inductors are accurately extracted, and their overall performances are understood clearly. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 13: 148–153, 2003. 相似文献