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1.
2.
天然河流的横断面多为由主槽和漫滩组成的复式断面,水流在这种断面中比在单一断面中受到更多因素影响,流态也更加复杂。通过将明渠横断面上微元体在水流方向的N-S控制方程沿水深积分,得出描述垂线平均流速和边界剪切应力横向分布的模型,并通过对实验数据的验证,确定了模型的实用性。 相似文献
3.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
4.
利用金属的电子一声子模型,从量子场论和量子统计力学推出了热流密度和温度的关系式及傅里叶热传导方程的修正式,给出了热的穿透速度和驰豫时间的表达式。 相似文献
5.
国内外资料一致认为,导致结构的变形变化主要是建筑物的不均匀沉降和受温度变化的作用。在工程设计中对控制建筑物的不均匀沉降极为重视,设计规范中特别规定了应采取的一些技术措施,而对温度变化引起的结构裂缝,设计中却往往予以忽视,没有给以有效的控制。笔者在对我国结构裂缝专家王铁梦提出的“混合结构温度应力近似计算法”所揭示的因素关系进行分析的基础上,提出了控制温度裂缝的几项措施。 相似文献
6.
利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器. 相似文献
7.
本文讨论了D-T等离子体能量约束时间的同位素效应。采用了基于气球模湍流的输运理论。当在βp〉1条件下产生D-T等离子体时,预计D-T等离子体(50%混合物)的能量约束时间比同样运行条件下的D等离子体好约20%。 相似文献
8.
为了进一步认识核电站严重事故下安全壳内氢气-空气-蒸汽混合气体输运与冷凝的复杂耦合现象,本文研究了针对冷凝及组分输运的实验装置.利用Star-ccm+软件在宽氦气浓度、宽蒸汽浓度条件下,对单一传热管外蒸汽冷凝及气体输运过程进行数值模拟分析.结合相应的验证实验,提出了用于评估冷凝作用下混合气体氦气分层的经验判别式和理论判别式.模拟结果揭示了蒸汽冷凝作用下氦气-空气-蒸汽混合气体形成稳定的氦气分层,关联式判别结果与实验结果具有较好的一致性. 相似文献
9.
Analysis of damage localization for ductile metal in process of shear band propagation 总被引:3,自引:0,他引:3
王学滨 《中国有色金属学会会刊》2006,16(1):153-158
1 Introduction Shear localization is an important and often dominating deformation and failure mechanism for Ti and Ti alloy in dynamic loadings[1—10]. The eventual outcome of localized deformation is ductile rupture and material separation. Shear locali… 相似文献
10.
Copper wire, serving as a cost-saving alternative to gold wire, has been used in many high-end thermosonic ball bonding applications. In this paper, the bond shear force, bond shear strength, and the ball bond diameter are adopted to evaluate the bonding quality. It is concluded that the ef/~cient ultrasonic power is needed to soften the ball to form the copper bonds with high bonding strength. However, excessive ultrasonic power would serve as a fatigue loading to weaken the bonding. Excessive or less bonding force would cause cratering in the silicon. 相似文献