寻常光在单轴晶体内表面上的反射系数

研究了寻常光在单轴晶体内表面上的反射规律．根据电磁场边值条件，分析了光李单轴晶体内表面处的反射和折射情况．给出了光在单轴晶体内表面上的反射系数公式。     

单轴晶体材料的Casimir效应调控研究

Casimir效应最初表现为理想导体平板之间存在的真空作用力,近年来在微机械和纳米机械领域中具有重要影响和作用。考虑单轴晶体平行材料板的光轴几种不同取向,通过电磁场应力张量方法计算了单轴晶体平板间的Casimir作用力,其中平板间为真空区域。仿真结果表明,Casimir作用力在短距下受到较强抑制,而随着板间距的增大抑制逐渐放缓,直至可以恢复到约为理想导体板间力的1/10,同时Casimir力也随各晶体参数发生变化,进而可由此调控Casimir效应。     

各向异性材料包层光纤Bragg光栅的反射谱

应用数值解法对包层为单轴晶体材料且其光轴平行于光纤轴的光纤功率限制因子进行了理论模拟,并从模式特性出发解释了kcl对该类光纤Bragg光栅的反射率的影响.计算结果表明:对于HE11模,各向同性材料包层光纤中的能量比单轴晶体材料包层光纤中的能量更容易集中在纤芯中传输,而且集中程度与kcl的取值有关;各向异性材料包层比各向同性材料包层的光纤Bragg光栅的反射率要高;此类光纤Bragg光栅的反射率主要是由光纤纤芯和包层中能量分布决定的.     

基于两种光纤介质模型的长周期光纤光栅传感特性分析

仿真分析了单轴晶体光纤的两层介质模型与三层介质模型所得纤芯模有效折射率的差别,并基于该差别对长周期光纤光栅的外界环境折射率、温度和轴向应变传感灵敏度进行了仿真分析。结果表明,对两层、三层介质模型的纤芯模,尤其对薄包层光纤有效折射率有较大差别;用两层介质模型和/或材料的折变系数计算所得的长周期光纤光栅的外界环境折射率、温度和轴向应变灵敏度有较大的误差,需应用三层介质模型以及模式的有效折变系数进行准确计算。据此计算了上述3种传感灵敏度与光纤包层半径及包层模序数的关系。为长周期光纤光栅传感器的分析设计提供了指导。     

正入射条件下光在两单轴晶体分界面的反射与透射系数

目的 研究光在两单轴晶体分界面的反射和透射情况，方法 对晶体内存在的本征振动，根据电磁边值条件，分析反射光和透射光的振幅分布。结果 给出两同晶体分界面的反射和透射系数。结论 在两种单轴晶体的分界面处，一束光人射将有两束反射光和两束透射光存在，利用电磁场边值关系，可以计算得到反射场和透射场对应的反射系数和透射系数，其表达形式比各向同步情况复杂一些。     

光轴任意取得单轴晶体非正入射工作状态

在单轴双折射晶体中，考虑到折射Ｏ光和ｅ光的两者的主截面实际上是不相同的，选择一个主轴坐标系，使其某一坐标平面为ｅ光线的主截面，并在这个坐标系中分解出ｅ光的Ｄ振动矢量。这样就得出了对ｅ光振动矢量的较为严格的描述。     

分束角高度对称的单轴晶体棱镜及在红外区的测试

对单轴晶体双渥拉斯顿棱镜的分束角进行了研究，获得了一种与波长和单轴晶体材料均无关的、分束角度高对称的双渥拉斯顿棱镜，并在红外区对其进行了测量。     

单轴晶体双折射率随温度变化的双光路测量

为了研究单轴晶体最大双折射率在某一波长下随温度的变化情况,根据偏振光干涉的理论分析,推导出了单轴晶体最大双折射率随温度变化的解析式.在此基础上,设计、建立了一套双光路对比测试实验系统.利用该实验系统对石英晶体样品进行测试,获得了其实验数据变化曲线,并总结出了在测试波长下,石英晶体最大双折射率随温度变化的数学式.结果表明,单轴晶体在某一波长下的最大双折射率基本上与温度成线性关系;实验过程中,只要精确调整仪器,并注意控制好实验所需温度,其测量结果是可靠的.     

Modeling uniaxial tensile deformation of polycrystalline AI using CPFEM

The crystal plasticity finite element modeling （CPFEM） is realized in commercial finite element code ABAQUS with UMAT subroutine on the basis of the crystal plasticity theory of rate dependent polycrystal constitutive relations in the mesoscopic scale. The initial orientations obtained by electron backscatter diffraction （EBSD） are directly input into the CPFEM to simulate the mechanical response of polycrystalline 1050 pure Al in uniaxial tensile deformation. Two polycrystal models and two tensile strain rates were used in the simulations. The stress-strain curves of tensile deformation were analyzed. The predictions and the corresponding experiment result show reasonable agreement and slight deviation with experiments. The flow true stress of strain rate 0.01 s^-1 is higher than that of strain rate 0.001 s^-1. At the strain less than 0.05, the stress saturated rate of the experiment is higher than the simulated results. However, the stress saturated rate of the experiment becomes gentler than the corresponding simulated predictions at the strain over 0.05. Also, necking was simulated by the two models, but the necking strain is not well predicted. Tensile textures at strain 0.25 were predicted at the low strain rate of 0.001 s^-1. The predictions are in good accord with the experimental results. 2008 University of Science and Technology Beijing. All rights reserved.     

运用ASAP光学软件模拟单轴晶体的锥光干涉

为了模拟不同光轴取向、光束发散角、晶体厚度或入射波长等参数下的单轴晶体锥光干涉,在 ASAP中定义起偏器、晶体、检偏器和接收屏的几何形状和光学特性,产生一组锥状高斯光束并设置其相干性和波动性,进行光线追迹、计算并显示接收屏上的干涉场能量分布。所得模拟结果表明,光轴与晶体表面垂直时,干涉条纹是 1组以光轴为圆心且被十字分割的内疏外密、明暗相间的同心圆环;平行时,是 2组分别以光轴的平行和垂直方向为对称轴的、内疏外密、明暗相间的双曲线;既不垂直也不平行时,条纹特征因光轴取向而异;当增大发散角、晶体厚度或减小波长时,干涉条纹都向内移动且条纹数增多,反之亦然;起、检偏器正交时的干涉条纹都和它们平行时的条纹互补。