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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
2.
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
3.
4.
分析了影响均流的几个因素的作用机理;针对常规均流措施提出了实施方法和方案;提出了利用延迟触发脉冲的方法的数字均流解决方案。并给出了现场试验结果;比较了数字均流和常规均流方案,讨论了均流解决措施和整流柜设计建议。 相似文献
5.
6.
7.
8.
本文对铝电解整流所中计算机数据采集系统的构成以及对供电系统中各物理量的采集和处理方法作了详尽的介绍和描述,并将有关的方法和结果应用于实际工作中,提高了数据和可靠性和精度,使整流所供电质量更高,系统运行更加安全可靠。 相似文献
9.
离子膜电槽由于膜的特性和面积,电槽的结构,单元数量及组合方式等不同,其设计电流密度和运行直流电流亦不同。因此,在生产规模一定的条件下,槽型不同,电解回路数以及运行直流电压,直流电流各不相同。与此相关的整流装置参数也不相同。离子膜电槽总体上可分成单极式和复 相似文献
10.
介绍了国产HVM3509微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明:该产品已达到日本HVM3509同类产品标准。 相似文献