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1.
GaP:(N)的背景光谱和发光尖峰 总被引:1,自引:0,他引:1
获得高分辨GaP(N)光致发光光谱,观察到等电子陷陆束缚激子发光中LO和loc多声子发射,其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论,还观察到局域声子效应--光谱相似定律和相当显著的背景光谱。 相似文献
2.
研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV. 相似文献
3.
4.
限于金属电极,本文讨论了单重态激子S1在蒽界面的离解和三重态激子T1在蒽体内光去俘获的离解,并试图建立两个统一方程,其一用以描述S1离解过程中不同状态时的动力学特性,其二用以描述T1离解后不同光生载流子的输运特性。和文献[4]、[6]对比,此描述有机晶体中激子行为的理论方法要方便和实用。 相似文献
5.
发光层中载流子的平衡以及拓宽的激子分布对于制备高性能白光有机发光二极管(WOLEDs)至关重要。采用蓝光热激活延迟荧光(TADF)分子DMAC-DPS、绿光磷光分子Ir(ppy)2(acac)和红光磷光分子RD071制备了基于激基复合物主体的TADF/磷光杂化WOLEDs。在发光层中引入TCTA:DPEPO激基复合物作为主体不仅平衡了电荷和空穴传输,拓宽了激子复合区,并构建蓝-绿-红发光层之间级联式激子能量传递,有效提升了激子利用率,降低了器件的效率滚降。通过调控发光层中载流子平衡及激子分布,白光器件的最大电流效率(CE)、功率效率(PE)和外量子效率(EQE)分别为37.1 cd·A^(−1)、36.4 lm·W^(−1)和17.5%,并且在1000 cd·m^(−2)亮度下依旧保持在26.6 cd·A^(−1)、18.2 lm·W^(−1)和12.3%,对应色坐标(CIE)和显色指数(CRI)分别为(0.451,0.428)和88。值得注意的是,在1000~5000 cd·m^(−2)亮度范围内,CIE变化仅为(0.006,0.004),表现出优异的色稳定性。同时,通过单极性主体和双极性主体的对比,阐明了双极性主体中载流子复合及激子能量传递机制。最终,通过器件传输层的优化进一步降低了器件的工作电压,提升了载流子平衡性,器件EQE及PE分别提升至19.3%和52.6 lm·W^(−1),并保持了高的显色指数(CRI=90)及良好的色稳定性。 相似文献
6.
Rare earth complex Tb(BA)3phen was synthesized, which is first used as an emitting material in electroluminescence. The properties of monolayer device with the swing film rate of 1000 r·min-1(70 nm) and the weight ratio of 1:5(PVK:Tb(BA)3phen) are the best. And the highest brightness of this device reached 26.8 cd·cm-2 at a fixed bias of 21 V. Bright green emission could be obtained from the optimized double-layer device and the highest EL brightness of the device reached 322 cd·m-2 at the voltage of 22 V. 相似文献
7.
8.
以具有高离化能的n型小分子材料PBD、BCP作为激子限制层,用交替沉积的方式制备了分别以Alq3/PBD、NPB/BCP为周期结构多发光层的绿光、蓝光器件.周期性多发光层结构的引入大大提高了器件性能,其中,具有双周期3发光层的绿光器件最大亮度和效率分别是常规器件的10.5倍和4.4倍,具有双周期双发光层的蓝光器件最大亮度和效率分别是常规器件的2.75和1.45倍.器件性能提高的主要原因是周期性结构的引入和多发光区域的划分增加了激子产生几率.同时,周期数对器件性能有重要影响.绿光、蓝光器件电致发光(EL)谱谱峰值基本稳定,半高谱宽出现了窄化. 相似文献
9.
10.
研究了层状半导体材料GaSe在强激光激发下基本吸收边和激子的光学非线性,确认激子-激子散射过程及激子屏蔽是引起这种非线性的主要机制。 相似文献