6kV少油开关及真空开关常见故障分析

在开关的常见故障中,分闸线圈、合闸线圈的故障占了开关故障的90％以上。珠江电厂6kV配电系统采用天水长城开关厂生产的少油开关和真空开关,操作机构配的都是CD10。现对其分、合闸线圈常见故障进行分析并提出相应的具体措施,供同行     

纵磁场触头真空灭弧室的3D有限元素模拟和开断实验

与弧柱中电流流动方向平行的磁场可能通过对电弧模式的影响提高真空开关的开断能力。为了估算纵磁场触头的两电极空间地场分布，采用一有限元素程序制作一种模型。触头片后面的切割经圈产生自身磁场。三维磁场分析考虑到触头结构中各个电流路径。也考虑了５０Ｈｚ激励涡流的生产和减少涡流的途径。本文示出了电流和磁场之间的相移、电流密度分布、纵磁场有关的计算结果。模拟是在电流升到４５ｋＡ ＲＭＳ时用纵磁场触头开断实验完成     

真空灭弧室触头和屏蔽筒

真空灭弧室有一铜铬触头和铜铁屏蔽筒。触头包括铜铁非邻接部分（１６）和厚度为触头５０％的铜铬邻接部分（１８），该铜铬层（１８）可能亦含铋、锂、镁。屏蔽筒（２０）由铜、铁、０－３０％铬（屏蔽筒成份中铁铬总量低于６０％）组成。触头可烧结或挤压成形。屏蔽筒可烧结、挤压、铸造而成形或者用等离子溅射法或激光等离子溅射法在管道内表面沉积而形成。     

一种新颖的真空灭弧室

真空灭弧室有一个陶瓷和金属封接而成的外壳，该外壳的剖视图通常为一有三个接线端的Ｔ型结构。三个陶瓷绝缘子的一端分别与一个金属端盖进行气密焊接。第一端装有一个固定导体、它与装有一个传动装置部件的第二端面相对。第二个固定导体置于第三端上，它与第一个固定导体的轴横向相对。第一个导体有一个定触头安装在其末端。砂置于传动装置部件的末端。当不与静触头接触，电路处和合状态时，以及当头离开静触头，电路处于开断状态时     

真空灭弧室耐压水平的改进和提高

分析了真空灭弧绝缘击穿的物理机理，提出了击穿弱点的概念，指出真空灭弧室的绝缘击穿是击穿弱点在电场应力作用下结果，提出了提高真空灭弧室耐压水平的两个相应的措施。     

高频涌流对真空灭弧室场致发射电流的影响研究

根据IEC相关标准,真空断路器投切背靠背电容器组实验需承受20 kA幅值、4 250 Hz频率的高频涌流。高频涌流会严重烧蚀真空灭弧室触头表面,导致开断过程中易发生重击穿现象,严重威胁电力系统安全运行。文中目标为研究工频电压下高频涌流对真空灭弧室场致发射电流的影响规律。实验选取4个相同7.2 kV真空灭弧室,分别关合10 kA和20 kA幅值涌流2次,每次关合高频涌流后,在1 mm定开距触头上施加工频电压并测量流经真空灭弧室的场致发射电流。实验结果表明,在触头上施加涌流的次数越多,涌流幅值越大,场致发射电流越大。工频电压下,场致发射电流具有不对称性。当外加电压超过临界电压值时,可以使场致发射电流显著增大。实验结果对探究容性电流投切弧后重击穿机理具有重要意义。     

一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法

提出了一种无需施加磁场、利用发射电流衰减速度测量真空开关灭弧室真空度的新方法。首先利用500μA发射电流对触头表面轰击,除去触头表面上多余的分子吸附层。然后利用35μA发射电流与触头间残余气体分子的碰撞电离,形成离子流。离子流又撞击触头表面,被表面捕获,形成新增吸附层。这些新增吸附层的存在会增大触头材料逸出功,导致发射电流的衰减。真空度不同,发射电流的衰减速度就不同,故在发射电流衰减量一定的条件下,通过检测发射电流衰减时间就可以测量灭弧室内的真空度。文中通过理论分析,给出了发射电流衰减时间与真空度的关系并进行了实验验证。