下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

无镜自由电子激光器实现"饱和"发射

美国阿贡实验室的一个科研小组在无镜单通自由电子激光器中已达到自放大自发辐射饱和，其波长比从前这种无镜自由电子激光器的记录短1000倍以上。该小组展示了在可见光波长（530 nm)和紫外波长（385 nm)上指数增长和饱和的预言。该室研究人员报导了他们在Stephen Milton和Efim Gluskin领导下。逐步向X射线自由电子激光趋近的过程。同步辐射研究的历史仅有45年，真正的突破也只在屈指可数的几年里。据阿贡先进光源实验室副主任David Moncton说，他们的工作是突破中的一项。与普通激光器不同，该室的无镜自由电子激光器用强流电子加速器和…     

电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究

研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。     

电子束烟气脱硫装置的安装

介绍了电子束烟气脱硫技术的工艺原理,对重点安装环节应注意事项及调试与检测也有涉及.     

纯度极高的钼材

日本一家金属公司采用电子束精炼方法制成了一种高纯度钼材 ,其纯度为 99.9999%。这种钼材中含有的金属杂质和气体杂质数量较低 ,而且具有容易锻造、轧制和焊接等优点 ,因此要比采用粉末冶金方法生产的钼材具有更重要和更广泛的用途纯度极高的钼材@李惠萍     

国际微电子专用关键设备的现状和发展趋势（考察报告）

讲述了参观Ｓｅｍｉｃｏｎ／ｗｅｓｔ９４′展览会及考察美国和西德的５个公司、１所大学所了解到的投影光刻技术、电子束曝光技术、透镜面形测试技术的发展。