全文获取类型
收费全文 | 2038篇 |
免费 | 38篇 |
国内免费 | 360篇 |
专业分类
电工技术 | 16篇 |
综合类 | 107篇 |
化学工业 | 96篇 |
金属工艺 | 334篇 |
机械仪表 | 101篇 |
建筑科学 | 9篇 |
矿业工程 | 9篇 |
能源动力 | 12篇 |
轻工业 | 84篇 |
水利工程 | 6篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 11篇 |
无线电 | 817篇 |
一般工业技术 | 427篇 |
冶金工业 | 37篇 |
原子能技术 | 351篇 |
自动化技术 | 18篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 15篇 |
2022年 | 14篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 17篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 18篇 |
2016年 | 14篇 |
2015年 | 18篇 |
2014年 | 43篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 46篇 |
2011年 | 68篇 |
2010年 | 70篇 |
2009年 | 81篇 |
2008年 | 106篇 |
2007年 | 116篇 |
2006年 | 116篇 |
2005年 | 104篇 |
2004年 | 101篇 |
2003年 | 104篇 |
2002年 | 94篇 |
2001年 | 118篇 |
2000年 | 104篇 |
1999年 | 98篇 |
1998年 | 63篇 |
1997年 | 87篇 |
1996年 | 87篇 |
1995年 | 90篇 |
1994年 | 100篇 |
1993年 | 72篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 101篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 76篇 |
1988年 | 27篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有2436条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 相似文献
2.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
3.
4.
5.
用XPS研究了注入银离子的BiSrCaCuO玻璃的表面结构,讨论了离子注入对玻璃表面晶体生长的影响。 相似文献
6.
7.
8.
把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子. 相似文献
9.
4气相沉积技术气相沉积按机理划分,可分为物理气相沉积(PhysicalVapourdisposion)和化学气相沉积(ChemicalVapourdisposion),前者通称PVD,后者通称CVD。4.1PVD法阴极溅射4.1.1阴极溅射的基本原理阴极溅射就是在真空的条件下,用荷能粒子轰击某一靶材(阴极),使靶材表面原子以一定的能量溅出,然后在机件表面沉积的过程,图4-1是阴极溅射系统简图。靶是一平板,由欲沉图4-1阴极溅射系统简囤积的材料组成,将它与电源的负极相联(阴极)。固定装置可以接地、悬空、偏置、加热、冷却。真空槽中充入1.33×10Pa~1.33×10-1Pa的… 相似文献
10.
根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献