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2.
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
5.
6.
相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在高B值,高电导率的NTC热敏材料中,X-ray衍射,XPS分析表明有三相:NiM2O4,CuMn2O4和Mn3O4组成。三相之间比例的相对变化对共电导率有较大影响,B值的变化主要来自相界势垒的贡献。 相似文献
7.
8.
本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景.从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较,评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围,目前的市场状况和今后的技术前景。 相似文献
9.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
10.
随着TFT显示技术的发展,TFT产品迅速进入商品化阶段。由TFT技术产生的衍生品,如TFT Monitor,TFT TV已在不少领域代替传统CRT产品。TFT产品主电源要求一般有以下几种:+5V/2.3A(15英寸)2.7A(17英寸),辅电源要求为+3.3V/800mA,+2.5V/400mA,背光部分输出功率为8~12W,TV turner要求为+5V/80mA。因为背光冷阴极驱动,故启动电压要求达1.3kV以上,灯管点亮后维持电压在450V左右。一般Monitor的输入电源往往采用12V Adapter,且因TFT产品往往外形轻便,厚度较薄,要求供电部分产生的热量要少(效率要高),体积要小,故TFT Monitor/TV的供电要求有其一定的特殊性,需要有针对该要求的供电方案。 相似文献