Mg-3Li-1Ce合金的组织与力学性能

通过微合金化法制备了Mg-3Li-1Ce合金,研究轧制态和不同退火态下合金的微观组织和力学性能。结果表明,Mg-3Li-1Ce合金中弥散分布在晶粒内部的点状或者球状析出相为Mg12Ce相。经350℃退火1 h后,合金具有良好的强度与塑性。     

Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

超深冲IF钢退火过程中织构变化的ODF分析

采用ＯＤＦ分析方法对ＩＦ钢冷轧板在退火过程中织构变化进行了分析。结果表明，随退火时间的延长，冷轧ＩＦ钢板在呔α，γ取向线上的｛１００｝〈１１０〉，｛１１２｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉织构有所增减，其中｛１１１｝〈１１２〉织构明显增加。最终形成以｛１１１｝〈１１０〉，｛１１１｝〈１１２〉为主的退火织构。这正是使ＩＦ钢获得优良深冲性能必要条件。     

铝冷轧制油应用和生产工艺研究

通过对铝材冷轧工艺的分析。研究，以退火工艺中的斑痕为重点，提出采用加氢处理，异构化精制的石蜡基航空煤油组分为基础油，采用不同复合添加剂生产的通用铝冷轧制油完全可以满足客户要求。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

5754-H34铝合金板材生产工艺研究

研究了不同冷变形程度，退火温度对5754铝合金冷轧板材的组织和力学性能的影响，确定了5754合金H34状态板材的生产工艺参数，即冷变形程度25%-45￥，稳定化退火温度120-160℃，保温时间3-6h，在工业生产条件下，其产品的技术指标达到了用户要求。     

一种抗NLOS的TDOA定位算法

本文提出了一种抗非视线传播(Non-Line-of-Sight)干扰的TDOA定位算法。该算法采用退火与遗传算法相结合的方式，在满足给定条件的空间内搜索源点坐标值。数值仿真表明，该算法具备抗NLOS干扰的能力，与传统TDOA算法相比，该算法无需知道各基站的非视线传播干扰分布，是一种实用有效的定位算法。     

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。