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1.
介绍几款以棉、毛色纱作经纬的浮长线修剪类色织服用新产品.全棉纬修背产品"霞间织霓裳"产品以多色彩纬连续多根织入构成块面纹,浮长线沉背,织物正面地纬呈曲线形态;涤棉混纺纬修花产品"风的颜色"采用花式纱线以粗线条几何纹起花,较长的浮长线留在织物正面,修剪并捋直浮长线,错落有致的流苏随风摇曳、富有立体动感;全毛经修花产品"静夜小雨滴"彩经采用交织、长短经浮长线方法以点、线结合方式形成沿纵向交错排列,修剪后产生静夜中雨滴串珠的艺术效果;全棉经纬修花产品"纵横天地"利用彩经、彩纬双向交织起长方形模块纵横组合纹,将彩经模块表面的彩纬浮长线、彩纬模块表面的彩经浮长线修剪,留出短短纱头,表现天纵地横、色彩绚丽的景象. 相似文献
3.
多臂织机上开发经起花产品,彩、地经分别使用不同综框,在有限的用综条件下,需要通过上机工艺的变化设计,解决构图单调的问题.为此分别以单、双彩经起花为例,在分析上机工艺基础上,以图解形式,提出了利用穿综、纹板排列实现的四种构图变化方法.结果 表明:变化彩经重复穿综次数、变化纹板排列重复次数可以使基础图形产生形变,增加构图的趣味性;将基础穿综与纹板图分区段拆分重组,可以使丰富构图效果;将甲、乙彩经换位穿综可以产生相同构图不同色彩的效果;将甲、乙彩经的穿综起点、纹板起点错开位置可以产生多种不同的构图效果. 相似文献
4.
5.
6.
7.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
8.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
9.
10.
随着开关磁阻电机的调速控制系统日臻完善,因其优越性能使得在各行业得到迅速推广,但在煤矿井下的特定环境中使用该调速系统仍存在着诸多问题有待分析研究。 相似文献