SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

天然气吸附储存脱附过程的动态模拟

通过热动力学计算,认识了脱附过程当中储罐内温度剖面分布的典型特征:储罐轴心处的温度下降幅度最大。分析了脱附过程当中储罐壁的热交换、吸附剂的导热系数以及储罐内的初始压力对储罐内的温度剖面的影响。结论是加强储罐外壁的热交换、增大吸附剂的导热系数皆能改善吸附储罐内的温度剖面。     

300km/h高速铁路PC槽型梁动力试验研究

介绍北方交通大学与比利时鲁汶大学、布鲁塞尔自由大学、比利时铁路公司合作,在巴黎至布鲁塞尔之间高速铁路线上的Antoing大桥进行的二次高速铁路桥梁动力试验。试验桥梁由跨度50m的多跨预应力混凝土简支槽型梁构成,试验中列车速度达265-310km/h。通过现场试验和实验结果分析,得到了桥梁的频率、振型、阻尼等自振特性,以及桥梁在高速列车作用下的动挠度、梁和桥墩的横向和竖向加速度、橡胶支座的相对位移、梁体的动应变等动力响应特性。试验经验和测试结果对于充实高速铁路桥梁动力分析理论、改进数值分析模型、验证计算结果、提高高速铁路桥梁的动力设计水平、保证行车安全,具有重要的意义。     

中关村中心区水文地质及工程地质特征

本文全面、系统地分析了北京市中关村中心区的水文地质及工程地质特征 ,为该地区的工程建设提供可靠的地质资料     

A procedure to prepare cross-sectional samples for TEM

Cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) is an imaging technique particularly suited to the study of layered structures. For integrated electronic devices it has become a common practice to use XTEM to assess the shape and crystallinity of component layers as well as defect structures introduced by processing. A procedure for preparing samples to be viewed by XTEM is described.     

VRDS装置常压分馏塔系统的问题分析

胜利炼油厂重油加氢 (VRDS)装置的常压分馏塔为填料塔 ,2 0 0 1年检修开工后该系统出现异常 ,经过查找分析 ,确定轻烃 /产品减压渣油换热器和柴油汽提塔重沸器内漏是装置异常的主要原因     

厚断面球铁的声速

论述了影响厚断面球铁声速和声波衰减的各种因素。指出，必须在应力状态下同时考核声速和声波衰减，以作为判别厚断面球铁材质的一种手段。     

复杂目标近场电磁散射的可视化计算方法

首次介绍了复杂目标近场散射计算的可视化方法。采用非均匀有理Ｂ样条曲面（ＮＵＲＢＳ）精确构造任意形状散射体，结合几何体近场透视变换和Ｚ－Ｂｕｆｆｅｒ技术实现了基于Ｗｉｎｄｏｗｓ平台的近场散射计算。提出广义雷达散射截面的概念并给出的若干算例。该方法充分利用了计算机３Ｄ图形设备的几何运算能力，运算速度快，严谨高，可扩展性好。     

梯形断面水力计算的一种新方法

本文从梯形水力最优断面的基本思路出发，通过理论分析找到了梯形断面水力计算的一种新方法——即通过特征参数进行梯形断面的水力计算。     

An investigation of the relation between the temperature dependences of the initial unbalance and the output signal of resistance strain sensor bridge circuits

The relation between the initial unbalance and the output signal of bridge circuits when acted upon simultaneously by the physical factor being measured and the temperature of the surroundings when the bridge is supplied from a voltage or current source is investigated. Analytic relations are obtained which explain the temperature dependence of the useful output voltage under external physical action. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 1, pp. 48–49, 2007.