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2.
A. Nakano T. Shimazaki M. Sekiya H. Shiozawa K. Ohtsuka A. Aoyagi T. Iwakiri Z. Mikami M. Sato Y. Sugino K. Kinoshita T. Matsuoka T. Imamura Y. Takayama K. Yamamoto 《International Journal of Hydrogen Energy》2021,46(29):15649-15659
Monitoring the temperature in liquid hydrogen (LH2) storage tanks on ships is important for the safety of maritime navigation. In addition, accurate temperature measurement is also required for commercial transactions. Temperature and pressure define the density of liquid hydrogen, which is directly linked to trading interests. In this study, we developed and tested a liquid hydrogen temperature monitoring system that uses platinum resistance sensors with a nominal electrical resistance of approximately 1000 Ω at room temperature, PT-1000, for marine applications. The temperature measurements were carried out using a newly developed temperature monitoring system under different pressure conditions. The measured values are compared with a calibrated reference PT-1000 resistance thermometer. We confirm a measurement accuracy of ±50 mK in a pressure range of 0.1 MPa–0.5 MPa. 相似文献
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4.
电信宽带LAN接入网建设中的有关问题探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了采用以太网技术的宽带接入网,对目前以及网宽带接入网建设中存在的问题如安全、维护、投资和计费等进行了研究,提出了解决上述问题的建议。 相似文献
5.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
6.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
7.
8.
S N Maitra 《Sadhana》1985,8(4):373-385
The burn time and burnout velocity of a multistage rocket flown vertically in vacuum with constant thrust tangential to the
flight path and a prescribed initial/final thrust-to-weight ratio in an arbitrary stage have been determined.
The present paper also deals with optimal staging under given conditions of flight. 相似文献
9.
大长径比自旋弹箭横向自振特性的有限元计算方法与结果分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究大长径比自旋弹箭在飞行时横向振动的自振特性。本文将转子动力学应用于弹道学 ,采用有限元法 ,建立自旋弹箭横向振动自振特性方程。同时给出了计算方法。利用该方程和该方法 ,开发了相应的计算程序。通过数值计算 ,可给出细长旋转弹箭飞行时的进动转速和临界转速 ,以及相应的位移和角度振型。利用该程序 ,进行了实例计算和分析。 相似文献
10.
I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献