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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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本文提出生种新的带限信号的外推方法,该方法能够很好地抑制噪声干扰,且计算复杂性较低,本文给出算法,证明了收敛性,最后给出了误差计算机实验结果。 相似文献
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CDMA时变色散信道的两级盲辨识算法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过对时变信道的扩展函数在时频域进行正则采样,得到了CDMA时变系统的离散正则模型。针对该模型提出了一种具有较低运算量的两级盲辨识算法。为避免两级算法产生的误差传播效应,文章将理想SIMO模型等效为加性噪声模型来处理。与基展开模型方法相比,该算法具有不需利用观测数据的高阶统计量估计展开基频率的优点。文章通过仿真验证了该算法是可行的。 相似文献
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