Resistive switching characteristics of ZnO–graphene quantum dots and their use as an active component of an organic memory cell with one diode-one resistor architecture

We investigated the resistive switching characteristics of a polystyrene:ZnO–graphene quantum dots system and its potential application in a one diode-one resistor architecture of an organic memory cell. The log–log I–V plot and the temperature-variable I–V measurements revealed that the switching mechanism in a low-current state is closely related to thermally activated transport. The turn-on process was induced by a space-charge-limited current mechanism resulted from the ZnO–graphene quantum dots acting as charge trap sites, and charge transfer through filamentary path. The memory device with a diode presented a ∼10³ I_ON/I_OFF ratio, stable endurance cycles (10² cycles) and retention times (10⁴ s), and uniform cell-to-cell switching. The one diode-one resistor architecture can effectively reduce cross-talk issue and realize a cross bar array as large as ∼3 kbit in the readout margin estimation. Furthermore, a specific word was encoded using the standard ASCII character code.     

微带型Wilkinson功分器设计与实现

小型低功耗器件是射频电路设计的研究热点,而微带技术具有小型化低功耗的优点,为此在介绍微带型Wilkin-son功分器工作原理的基础上,使用基于矩量法的ADS软件设计、仿真和优化计算相关数据参数,并制作了一个微带功分器实例,最后对加工的样品进行实测,获得与仿真值吻合较好的预期结果。     

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。     

数字电位器的应用技术

从应用的角度出发，介绍合理设计应用电路和合理选择数字电位器的种类与型号，来克服数字电位器普遍存在的主要缺点的方法。文章具有较强的针对性和可操作性，对数字电位器的应用实践具有指导作用。     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

片式阻容元件的现状和发展方向

在国外的片式元器件（ＳＭＤ）中，片式阻容元件发展最快，主要表现为片式化率迅速上升，尺寸越来越小，性能越来越好，包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展，指出了我国的差距，提出了我国如何发展的措施。     

带有长测量电缆的电容分压器的传输特性

该文研究了z_3=z_0,z_4=∞情况下电容分压器测量系统的传输特性,得出了U_(in)(s)=G(s)~(-1)U_0(s)在时间域的解析解及其差分形式,此解正可用于进行波形重建。给出了波形畸变与分压器、电缆及被测波形参数间的定量关系。     

多级并接型权电阻DAC的设计

多级并接型权电阻解码网络结构简单，分析方便，文章给出了普通的和BCD码多级并接型权电阻解码网络，推导出了各级与运放的连接电阻的通用公式，并用EWB软件进行了电路模拟，这种方法对自行设计权电阻DAC有一定的参考价值。     

在N-数字小数分频器中的作用

分析了∑－△对S／N的改善作用，将∑－△在A／D中的应用引入到N－数字小数分频器中，简述了∑－△对N－小数分频器输出相位抖动的改善，提出用单级∑－△累加器级代多级累加器级联复用概念。     

快速锁相频率合成器

介绍了锁相合成技术，对提高可编程分频器速度作了分析，估算了跳频时间，提出了进一步缩短跳频时间的措施。