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1.
对射频电缆幅相稳定性进行了介绍,阐述了射频测试电缆相位和幅度变化的因素,并详细分析了射频电缆相位性能以及幅度性能的不同测试方法,最后通过实测数据的展示,总结说明了在日常测试中该如何正确使用测试电缆。 相似文献
2.
3.
二端口电网络元件体系研究 总被引:1,自引:0,他引:1
熊元新 《武汉大学学报(工学版)》2003,36(6):87-90
用群论研究了二端口电网络元件体系中各元件集合的群关系.结果表明,二端口电网络元件集合之间存在子群与陪集关系,并且证明了构成陪集集合的元件能生成构成子群集合的元件,从而确定了二端口有源回转器和二端口反照器是二端口电网络的基本元件. 相似文献
4.
基于双口网络理论,对继电保护整定计算过程中大型电力系统非全相振荡时任意时刻正序网断相口开路电压的计算方法进行了深入研究,提出了一种能自动适应电力系统网络操作,可快速计算大型电力系统非全相振荡时任意时刻正序网断相口开路电压的新方法,并应用这一方法解决了继电保护整定计算中快速计算大型电力系统非全相振荡时任意时刻电气量的问题。该方法在保留现有方法优点的基础上,可显著提高计及网络操作时大型电力系统非全相振荡时任意时刻电气量的计算速度和计算效率,可满足大型电力系统继电保护在线整定计算的需要。 相似文献
5.
电力电子装置传导电磁干扰(EMI)的传播通道建模是电力电子装置电磁兼容性(EMC)的分析、调试及预测中的关键问题之一。为了提高传导EMI传播通道高频模型的准确性,必须考虑元件自身的杂散参数,还需要适当计及无源元件间的耦合效应。本文详细分析了两个无源元件间存在的三种耦合效应及其对传导EMI传播通道特性的影响,通过实验测取了各种耦合效应与元件间距离的关系。在此基础上,提出了描述两个无源元件间耦合效应的二端口电路模型,并应用于一个二阶低通LC滤波器频率特性的仿真研究。结果表明,采用该二端口模型可以大幅提高传导EMI传播通道模型的准确性,从而证明了考虑耦合效应的必要性。 相似文献
6.
采用"场"、"路"结合的方法研究了多层印制电路板参考平面的切换对信号完整性的影响.分析了过孔转换结构中返回电流的路径,通过"场"的方法获得两参考平面间的瞬态阻抗.将过孔转换结构等效为二端口网络,推导了基于等效电路拓扑结构的S参数与节点电压的关系,获得S参数的计算公式.计算了5 GHz内不同的过孔半径和参考面间距的回波损耗与插入损耗.结果表明:返回电流所受到的阻抗随参考平面间距的减小.而减小信号过孔的半径越小,回波损耗就越小,插入损耗越大,过孔转换结构对信号完整性的影响也越小.计算结果与全波有限元电磁仿真的结果基本吻合. 相似文献
7.
在输电线路反击耐雷性能仿真中需要建立合理有效的杆塔等效模型。为此,基于电磁场数值计算方法和矢量匹配法研究了输电线路杆塔冲击阻抗和等效电路的建立方法。首先采取电磁场数值软件分析了杆塔的阻抗频域特性函数,再将计算得到杆塔频率响应利用矢量匹配法进行了有理函数拟合,然后用网络综合的方法建立了杆塔二端口等效电路模型,并用PSCAD电磁暂态程序进行了仿真验证。研究表明:该方法可以应用在杆塔的任意2点上,建立对大地的二端口等效电路模型,从而求得杆塔上任意点遭受雷击时杆塔上任意部位的电位变化情况,进而能够模拟可能的放电通道过电压情况,以可用于分析输电线路杆塔雷电反击过程。 相似文献
8.
In this paper, a large dynamic range floating memristor emulator(LDRFME) with equal port current restriction is proposed to be achieved by a large dynamic range floating voltage-controlled linear resistor(VCLR). Since real memristors have not been largely commercialized until now, the application of a LDRFME to memristive systems is reasonable. Motivated by this need, this paper proposes an achievement of a LDRFME based on a feasible transistor model. A first circuit extends the voltage range of the triode region of an ordinary junction field effect transistor(JFET). The idea is to use this JFET transistor as a tunable linear resistor. A second memristive non-linear circuit is used to drive the resistance of the first JFET transistor. Then those two circuits are connected together and, under certain conditions, the obtained "resistor" presents a hysteretic behavior,which is considered as a memristive effect. The electrical characteristics of a LDRFME are validated by software simulation and real measurement, respectively. 相似文献
9.
10.
自由空间下射频识别系统天线通常等效为戴维南等效电路模型,缺少对环境因素和标签电路中寄生元件的考虑。基于射频识别系统基本原理和天线散射理论,提出了一种改进的真实环境下的超高频射频识别系统二端口网络链路模型。建立了基于虚拟仪器技术的射频识别系统天线链路仿真和测试系统。通过仿真实验,得出了真实环境下的标签吸收功率和通信误码率,验证了环境因素对射频识别系统性能的影响。 相似文献