二次发射体MgO薄膜的俄歇电子能谱的研究

本文叙述了用PHI—550型给定的俄歇电子能谱(AES)研究了一种新的、性能优异的二次电子发射材料——MgO薄膜。薄膜由Ag—Mg合金经特殊高温激活工艺处理而成。以前人们对这种薄膜内部的各种元素的化学状态以及纵向原子浓度的分布状态一直不太清楚,本实验的成功证明了俄歇(Auger)电子能谱是研究这种薄膜的一种非常合适的实验方法。从实验结果中,我们发现如下几点 1.激活后,Mg和O原子的化学状态发生了显著的变化。 2.激活后,Mg、O和Ag原子的纵深分布也发生了显著的变化。 3.Mg原子氧化不充分,为了改进这一缺点,我们发明了一种新工艺。 4.使用新工艺激活,Mg原子可获充分氧化。     

不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响

固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程.本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物...     

真空绝缘子结构优化设计的理论和方法

根据二次电子发射崩(SEEA)理论,综述了真空绝缘子的绝缘介质材料、几何形状和电极结构对绝缘子沿面闪络的影响和机理过程,以及从这三方面优化设计真空绝缘子以提高其沿面闪络电压的方法。     

模拟扫描电镜像衬度的体构件Monte Carlo方法

利用Mollte Carlo计算方法可以模拟电子束与样品的相互作用过程,从而了解扫描电子显微学中信号的产生机制,本工作中,我们采用体构件法来产生复杂试样的几何构型,利用光线追踪算法求得散射事件间的步长抽样修正。电子散射的物理模型则采用Mott散射截面描述电子与原子间的弹性相互作用,以及用介电函数理论描述电子与固体的非弹性相互作用,同时还考虑到了二次电子的级联产生过程．以此,我们模拟计算出了若干复杂几何体的二次电子像和背散射电子像。     

电子束焊缝二次电子成像系统设计研究

在研究二次电子特性及成像机理的基础上,设计了二次电子成像系统.其原理是通过同步扫描系统使焊机与显像管中电子束同步光栅扫描,用采集板收集从工件上轰击出来的二次电子,此二次电子信号通过前置放大和视频放大,最后在显像管得到焊缝图像.并且该系统在实验中得到了初步预期的结果.     

多层高梯度绝缘技术研究

真空中沿面闪络现象是制约真空设备耐压强度的一个重要因素,采用多层高梯度绝缘技术,比传统绝缘结构能显著提高击穿场强。介绍了该技术的研究现状,并从真空沿面闪络的二次电子崩理论入手,分析该结构对闪络过程的影响。同时,从小间隙串联的模型以及对外加电场的影响两方面,解释了多层高梯度绝缘结构可以提高绝缘性能的原因,它与公开的实验现象和结论也比较符合。     

测量二次电子空间分布特征矩阵法的有效性分析

为了准确测量不同材料在实际环境中的二次电子空间分布,设计了一种新型的二次电子发射空间分布测量结构,给出了实验测量原理,用求解特征矩阵的方法对实验结果进行处理,得到了所需的二次电子空间分布。通过模拟计算对该测量方法进行了校验,模拟结果与假设二次电子空间分布函数相吻合,表明该测量方法可靠、测量精度高,为后续样机研制奠定了理论基础。     

微波管内的表面击穿

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。