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1.
《电子技术与软件工程》2015,(16)
氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。 相似文献
2.
对三种组织状态的F-M复相钢进行了对称和非对称循环加载条件下的形变研究.结果表明,双相钢的循环变形行为,不仅与组织中位错组态的演变过程有关,同时也受循环载荷大小、类型以及加载方式所影响.分析表明,双相钢的循环硬化、软化行为主要受控于两个基本过程,即循环变形时位错组态演变的物理过程和相间分载应力的转嫁、相间残余应力变化的力学过程. 相似文献
3.
锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献
4.
5.
运用电子显微分析和波谱分析等方法对GH2027合金的第二相进行了研究,结果表明,合金晶界相主要是片状M6C和薄膜状M23C6,经波纹图样测得其错配度约为3%,晶内M6C和M23 相似文献
6.
7.
8.
Zr对Ni_3Al合金中晶界与位错交互作用的影响谷月峰,刘毅,林栋梁,郭建亭,董林(上海交通大学,上海200030)(中国科学院金属研究所)(辽宁省理化测试中心)近来的研究表明:在无硼Ni_3Al合金中加入适量的Zr可使其具有良好的室温塑性和高温强度... 相似文献
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10.
低碳低合金双相钢低温时效机理探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
探讨了不同合金元素的双相钢(F+M)经不同时效工艺处理后铁素体精细结构、显微组织变化及其对力学性能的影响,结果表明,双相钢低温时效(≤70℃)后铁素体的显微硬度时效曲线有硬度峰,这是由于铁素体中淬火空位迁移,并且聚集成位错圈,构成点阵障碍。这种点阵缺陷阻碍了可动位错的滑移,造成了摩擦硬化,宏观力学性能上表现为硬度升高,σb,σs上升。 相似文献