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针对地面构筑物施工对区间隧道结构影响问题,以重庆罗汉寺天桥施工对隧道六号线区间隧道结构影响为工程背景,采用MIDAS NX有限元数值模拟方法分析天桥不同施工阶段对地下结构隧道稳定性的影响。研究结果发现区间隧道在罗汉寺天桥建设实施过程中主要发生向上的垂直位移,最大位移发生在拱顶位置,最大变形量达6.8 mm;而在天桥施工直至使用过程中,区间隧道结构的水平及纵向变形均较小,均未超过1 mm。建议在施工过程中加强对隧道变形的监测,确保轨道交通结构及运营安全。 相似文献
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《电力系统及其自动化学报》2020,(2):124-124
1.正体外文字母的常用场合(1)计量单位和SI词头符号。(2)数学式中的运算符号和缩写号,如:微分号d,有限增量符号Δ,变分号δ,极限lim,行列式det,最大值max等。(3)其值不变的数学常数符号:圆周率π,自然对数的底e,虚数单位(i电工中常用j)。(4)量符号中为区别其他量而加的具有特定含义的非量符号和非变动性数字符号角标,如势能EP,宏观总截面Σtot,转置矩阵AT等。 相似文献
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引言具有宽供电电压范围的传统单片微功率运算放大器需要一个大芯片面积,因而导致封装和占位面积都很大。非传统的双路运算放大器LT6011在一种纤巧的新型封装内实现了25μV输入的精准微功率操作以及2.7~36V的电源电压范围,这种3mm×3mm的DFN封装非常之小,甚至没有引线。LT6011还提供了轨至轨输出摆幅,并采用具有超级电流增益放大系数的输入晶体管来实现安培级的输入电流。霍尔传感器放大器图1示出了LT6011被用作一个低功率霍尔传感器放大器时的情形。霍尔传感器的磁灵敏度与加在其两端的DC激励电压成比例。当偏置电压为1V时,该霍尔传… 相似文献
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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献