有机硅废触体合成四氯化硅项目圆满完成科研攻关任务

日前 ,由中油吉林石化公司研究院与吉林化学工业股份有限公司电石厂共同研发的有机硅废触体合成四氯化硅技术开发项目经全体科研人员的共同努力 ,中试装置实现连续稳定开车 5 5 0h ,各项数据指标均达到预期要求 ,这标志着该项课题攻关任务圆满完成。有机硅废触体合成四氯化硅技术开发项目是中油吉林石化公司 2 0 0 3年“六大投产项目”之一——— 5万t/a有机硅生产装置的配套技术 ,属中油股份有限公司级科研项目。废触体是有机硅单体合成过程中产生的以硅、铜、碳为主的废渣 ,不易储存 ,对环境污染严重 ,同时也成为生产安全隐患。随着有机硅…     

气相燃烧合成纳米二氧化硅中试研究

本文研究了采用气相燃烧法合成纳米二氧化硅的技术，得出了反应温度对二氧化硅颗粒形貌及四氯化硅进料量对二氧化硅产品性能的影响规律，研制出了可控的纳米级气相白炭黑。     

DSM拟在海南建全球最大的三聚氰胺生产厂

我国第一套5000t／a利用废触体合成四氯化硅生产装置，于2004年9月20日在吉化集团中部生产基地开工建设，预计在2004年12月底建成投产。     

四氯化硅的应用现状研究

综述了四氯化硅的主要处理方法和应用研究进展。详细介绍了四氯化硅在制备二氧化硅、多晶硅、三氯硅烷及其他硅烷产品方面的应用及其制备原理,并对各制备工艺技术进行了分析。     

反应性化学品泄漏扩散的三维数值模拟

多晶硅副产物四氯化硅泄漏后形成重气云,易与水蒸气发生反应,生成四氯化硅、氯化氢和硅酸的混合有毒气云,威胁人类安全,导致严重的生态和环境危害。针对四氯化硅泄漏后形成的重气云的三维大气扩散与反应迁移过程建立了传递转化模型并采用计算流体力学(CFD)进行模拟研究,化学反应模型采用漩涡破碎模型(Eddy-Break-UpModel)。模拟研究了四氯化硅气体与水蒸气反应过程中四氯化硅、氯化氢、硅酸等有毒物质的空间分布与迁移转化情形。四氯化硅受重力作用下沉并向周围扩展,迎风面处的四氯化硅下沉触碰到地面后向上风侧移动,但主体向下风向迁移;生成的毒害性氯化氢覆盖范围较四氯化硅广泛;反应物和生成物在近地面的浓度较大,威胁环境安全;水解反应消耗水分导致脱水效应和反应放热升温,会对该区域生态造成严重危害。研究结果为反应性化学品事故处理提供了依据。     

四氯化硅催化氢化及其催化剂研究进展

综述了四氯化硅氢化制备三氯氢硅的催化方法,重点介绍了四氯化硅催化氢化的机理及其催化剂进展情况,并对四氯化硅催化氢化进行了展望。     

硅业副产物四氯化硅在离子液体中溶解—-电沉积的研究

研究多晶硅工业的主要副产品四氯化硅(SiCl_4)在离子液体中的溶解、电沉积过程。结果表明,SiCl_4在离子液体中的溶解度随温度升高而降低,离子液体的导电率随温度升高而增加。在阴离子为[TNf_2]的情况下,阳离子为[N_(1114)]的季铵盐类离子液体比咪唑类[Bmim]离子液体具有更好的SiCl_4溶解度和导电性。SiCl_4在季铵盐类离子液体的溶解度随烷基主链长度增加而增大,随侧链长度增加而降低。[N_(1114)][TNf_2]和SiCl_4之间形成C-Cl、Si-O和C-Si键,在[N_(1114)][TNf_2]-SiCl_4体系中S_i~(4+)的还原电位为-2.2V。在温度25℃、SiCl_4浓度0.3mol/L、电流密度20A/m~2、电解时间2h的条件下可电沉积得到较为致密的硅薄膜,呈球形颗粒状分布。     

武汉2万t／a三氯氢硅项目

该项目位于湖北省武汉市洪山区左岭镇葛化集团闲置厂房内,采用硅粉与氯化氢气体在硫化床反应器中合成三氯氢硅,年产三氯氢硅2万t和副产品四氯化硅3500t。项目总投资4800万元。主要设备：流化床反应器、自动化仪器仪表、水处理设备。