北京百荣华北玩具采购中心行情分析 圣诞老人市场抢购 生肖羊仔备足新品

进入12月,迎来年底传统销售旺季,下游经销商加大采购量来迎接圣诞、元旦假期的销售高峰,同时也为寒假和春节销售预热。北京百荣华北玩具采购中心除户外玩具、童车等外,塑胶、益智、木制、电子电动等品类终于摆脱之前几个月低迷的销售状况,销量明显上升,各个商家也开始向厂家积极备货,冲刺年底销售。     

AgBr-Ag3PO4-CSs三元复合光催化剂的制备及性能

以AgNO_3、KBr、Na_2HPO_4和碳球(CSs)为原料,通过共沉淀法制备了高活性的AgBr-Ag_3PO_4-CSs三元复合光催化剂。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱和X射线光电子能谱等对复合催化剂的结构、形貌、光吸收范围及价态进行了表征,通过可见光下降解罗丹明B(RhB)和苯酚对复合催化剂的性能进行了考察。结果表明:以CSs为载体,将AgBr和Ag_3PO_4负载在CSs上,当n(AgBr):n(Ag_3PO_4)=4:100时,所得的4%AgBr-Ag_3PO_4-CSs复合催化剂光催化效果最佳,可见光照50 min时,对RhB的降解率达到99.3%;光照60 min时,降解率达到99.5%,几乎降解完全。对苯酚也具有超强的降解能力,捕获剂实验表明空穴为主要活性物种,并且所制备的复合光催化剂循环使用5次后时仍具有较高的光催化活性。     

球化组织对AISI 420型钢淬回火特性及耐蚀性能的影响

对比研究了两种AISI 420型钢球化组织的平均粒径和圆整度，并对两种钢材进行了不同淬火和回火处理工艺.然后通过硬度测试、扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）来比较球化组织对淬回火特性的影响，同时借助动电位极化曲线测试和质量分数3.5% NaCl溶液浸泡腐蚀来分析耐蚀性能的差异.结果表明:细小弥散的球化组织在淬火时可以提高AISI 420型钢的C元素的固溶量，提高了其淬硬性，但是会提高残留奥氏体的含量；尺寸更小的退火态碳化物可以使AISI 420型钢的基体在奥氏体化过程中溶解更多的Cr元素，从而使得其在淬回火后基体Cr含量更高，减小贫Cr区产生几率，最终显示出更好的点蚀抗力；更少的大尺寸的未溶碳化物在腐蚀环境中降低了点蚀形核几率，提高了AISI 420型钢的耐蚀性能.所以在250℃回火时，AISI 420型钢耐蚀性好且硬度高，在480℃回火后，耐蚀性最差.      

多元合金化大断面球墨铸铁组织和性能的分析

为了提升大断面球墨铸铁综合力学性能，通过复合添加微量合金元素铜、锑、锡、钼对大断面球墨铸铁进行微合金化处理，借助金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)及力学性能测试等手段，研究了Cu Sb Sn Mo复合微合金化大断面球墨铸铁微观组织和力学性能。结果表明，试验球墨铸铁具有良好的综合力学性能。大断面球墨铸铁中添加铜、锑、锡、钼后优化了材料的组织结构，基体组织为珠光体＋少量牛眼状铁素体；试样石墨组织细小、圆整，分布均匀。同时，合金元素的复合加入使得其抗拉强度达到800 MPa以上，硬度约为280HB，伸长率达到5%以上。拉伸断口分析表明，微合金化大断面球墨铸铁断裂模式以解理断裂为主，伴有少量的塑性变形。     

离散元仿真中挖掘机铲斗结构表面的单元球表示方法探究

提出了一种基于单元球的铲斗结构表面的多精度几何表示方法。该方法针对铲斗的斗底板、侧腹板、侧刀板、前刀板和斗齿5个部位的几何特征和功能要求,实施基于单元球的多精度几何表示。对比分析不同精度下单元球表达的铲斗结构表面,发现离散元仿真时间会随铲斗结构表面的几何表示精度的提高而增加。因而,铲斗结构表面的单元球表示需综合考虑仿真精准性与仿真时间的需求。对比分析不同精度下单元球与三角面片表示方法,证实了单元球表示方法具备有效表示铲斗结构表面的局部几何细节的能力。相比于三角面片表示方法,单元球表示方法有望在铲斗挖掘过程离散元仿真中花费更少的计算时间。     

管线钢专用引伸计的设计与应用

分析测量管线钢矩形试样规定总延伸强度Rt0.5的过程中产生误差的原因,设计开发了管线钢矩形试样拉伸试验测量系统。该系统由球铰式框架结构和光栅传感器组成球铰式光电引伸计,利用光栅传感器测量精度高与球铰式装卡的优势结合,把采集的信号通过数据处理器传递给计算机控制系统,通过系统的模数转换和软件的功能运算,能有效克服测量过程中的误差,保证试验结果的准确性和重复性,具有记录全过程拉伸曲线的功能,满足管线钢相关检验和试验标准要求。     

威刚A-DATA DDR2 533内存

威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1．8V工作电压，且依据JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）的标准规范，采用最先进的0．10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒，成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计，让主机板不用在内存旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW（时钟讯号偏离），提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能，使DDR2 533成功突破DDR的速度限制，缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果，真正达到每秒3．2G的极速资料传输带宽。