改性硅微粉在天然橡胶中的性能研究

硅微粉用双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物(Si69)和钛酸酯进行表面改性,将其添加到天然橡胶中,探讨了改性硅微粉对复合材料性能的影响。结果表明,Si69和钛酸酯改变了硅微粉的表面结构,分散性有很大程度的提高;Si69改性的硅微粉用量为20份时,天然橡胶的综合性能最佳。     

大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究

Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。     

威刚A-DATA DDR2 533内存

威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1．8V工作电压，且依据JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）的标准规范，采用最先进的0．10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒，成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计，让主机板不用在内存旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW（时钟讯号偏离），提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能，使DDR2 533成功突破DDR的速度限制，缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果，真正达到每秒3．2G的极速资料传输带宽。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

Si基n型GaN的欧姆接触研究

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。     

汉芯，IC时代的弄潮儿

2003年2月，上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0．18微米半导体工艺，具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定：属于同内首创，达到了国际先进水平，是中国芯片发展史上重要的里程碑。     

微米／纳米技术及其应用

介绍了当前国际上关于微米、纳米技术及其在微型机械、微型机械电子系统以及在专用集成型仪器等方面的应用。     

ZG31Mn2Si履带板的铸造工艺

采用ＺＧ３１Ｍｎ２Ｓｉ替代ＺＧＭｎ１３生产拖拉机和推土机履带板．改进铸造工艺，可以生产出合格的铸件；经淬火、低温退火处理，其基体组织为马氏体，属强韧性钢种，能够切削加工．     

LD钢超塑性压缩变形参数与金相组织

通过对ＬＤ（７Ｃｒ７Ｍｏ３Ｖ２Ｓｉ）模具钢起塑性压缩变形后的金相组织观察研究，分析了变形参数、原始组织对变形后金相组织的影响。