钽粉中碳的来源及其对电性能影响的研究

主要介绍了钽粉中碳杂质的来源以及不同碳含量对钽粉电性能的影响,重点分析了不同碳含量对钽粉电性能的影响,并提出了有效控制钽粉中碳杂质含量的建议,以求达到降低钽粉中碳杂质含量的目的。     

测定钠中杂质的手动阻塞计的研究

文章介绍了测定钠中杂质浓度的手动阻塞计的原理、装置和实验结果。为了减少测量误差,我们研究了影响准确测定阻塞温度的因素,并且找到了减少测量误差的办法。在同样的杂质饱和温度下,该阻塞计测得的高、低阻塞温度所对应的杂质浓度差是很接近的。对氧其差值为1.03ppm;对氢为0.0763ppm。     

降低丙烯腈成品的杂质含量

对成品丙烯腈色谱图中的未知杂质峰进行了定性、定量分析。探讨了生产装置解吸塔灵敏点温度、压力、溶剂水的温度和流量、成品塔成品采出板温度、回流量等多个工艺参数与丙烯腈中口恶唑含量的相关性 ,确定了降低灵敏点温度是降低成品丙烯腈中口恶唑含量的有效手段并付诸实施 ,将口恶唑的质量分数由 2× 1 0 -4 降低到了 2× 1 0 -5～ 3× 1 0 -5     

镁热还原K2ZrF6制备镁锆中间合金

在KCl、NaCl熔剂的保护下,液态Mg能够还原K2ZrF6.通过控制炉料配比、还原温度、还原时间,并用机械正反向交替搅拌,成功地解决了传统生产工艺中渣相与Mg-Zr中间合金难以分离、合金杂质含量偏高、合金成分偏析的难题,获得了高质量的Mg-Zr中间合金.     

红磷稳定性影响因素的探讨

本文重点讨论了微量金属杂质对红磷稳定性的影响；对微粒化红磷的包覆技术进行了选择和比较     

碲镉汞材料及工艺控制的分析方法

随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。     

ICP—AES法测定二氧化硅中的微量杂质元素

试样经硫酸－氢氟酸分解，在盐酸介质中用ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定二氧化硅中的微量杂质元素。该方法与原子吸收法（ＡＡ）和分光光度法相比更为优越，其化学干扰少，操作简便，快速，重显性好，准确度高，测定结果的相对标准偏差（ＲＳＤ）小于５％。     

2，4，4‘—三氯—2’—羟基二苯醚的质量控制

在高效、广谱抗菌剂2，4，4'－三氯－2'－羟基二苯醚的生产过程中，会产生多种有害杂质，影响产品的质量和使用安全。根据公司在科研和生产过程中的研究结果，总结了产生相关杂质的原因和分析检测方法以及相应的质量控制措施。