阳离子染料为何不能与其它染料同浴染色?

阳离子染料与其它阴离子染料能否同浴染色，具体要视颜色深浅及对产品的要求而定。因为阳离子染料的化学结构上都带有正电荷，所以只能用于腈纶（PAN）和碱改性涤纶（CDP）的染色。     

pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移，并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比．在这两种应力偏置条件下，pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强．由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场，使得器件特性严重退化．给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释．     

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

电离辐射在MOS结构的SiO2层中建立正陷阱电荷,这些正陷阱电荷在正强栅偏压(+20V)下迅速减少,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO2层隧道注入,从而与陷阱正电荷复合.正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效,对P沟MOS结构也有一定的影响.给出了辐照后的NMOS和PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理     

深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制. 器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制. 高温条件下，器件受到HCI和NBTI效应的共同作用，二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应. 在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度，而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关，给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.     

实用染色的若干应用技术（23）

问：阳离子染料为何不能与其他染料同浴架色？ 答：阳离子染料与其他阴离子染料能否同浴染色,具体要视颜色深浅及对产品的要求而定。因为阳离子染料的化学结构上都带有正电荷,所以只能用于腈纶（PAN）和碱改性涤纶（CDP）的染色。     

观察窗

<正> USB 供电的空气净化器这是一款采用 USB 供电的空气净化器。它可以产生活性氧,并让周围气体流动,以达到清洁空气、改善工作环境的目的。它能有效去除各种烟味、臭味、细菌等有害物质,而且据说它可以释放出阴离子,并与空气中的正电荷结合在一起,就可以达到降     

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向 Si O2 层隧道注入 ,从而与陷阱正电荷复合 .正栅压退火不仅对 N沟 MOS结构非常有效 ,对 P沟 MOS结构也有一定的影响 .给出了辐照后的 NMOS和 PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果 ,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理 .     

在液体过滤中用于去除微细粒子的带正电荷滤料的设计和性能评价Shin,J.H.等（University of Massachusetts,USA） Proceedings-World Filtration Congress,9th,New Orleans,LA, United States,Apr. 18-24,2004 [computer optical disk]

本工作的主要目的是提高过率介质表面的正电性，以使捕捉带负电荷的杂质，主要是水中的细菌和病毒，以减少压力损失和提高过滤效果。     

远红外法生产焦糖色素的工艺研究

以玉米面为原料,利用远红外加热机制制备焦糖色素。探讨了加热温度、反应时间、催化剂种类及加量对焦糖色素的影响。结果显示通过远红外加热机制大大的缩短了反应时间,相应的色率高达50000EBC单位以上,产品带正电荷,稳定性试验显示,耐酸及耐盐性能均良好。